（d）單個(gè)ZnO納米棒上的1L-MoS2的示意圖，朋友插圖為在ZnONRA上1L-MoS2的光學(xué)圖像。歲左圖二：1L-MoS2/ZnO異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的共聚焦拉曼表征（a）1L-MoS2在ZnONRAs上的E12g峰位移的拉曼映射（λex=532nm）。朋友（f）1L-MoS2在單根ZnO納米棒上的應(yīng)變分布示意圖。

歲左（b）在325nm激發(fā)下原始ZnO和具有1L-MoS2ZnO的PL光譜。因而，朋友在傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制造中得到了廣泛的應(yīng)用。

【成果簡(jiǎn)介】近日，歲左北京科技大學(xué)張躍教授團(tuán)隊(duì)報(bào)告了一種新的策略—通過(guò)一維半導(dǎo)體誘導(dǎo)納米壓印構(gòu)建具有周期性應(yīng)變的的混合維范德華異質(zhì)結(jié)陣列。

（i）從應(yīng)變1L-MoS2到ZnO的電荷轉(zhuǎn)移效率提高的示意圖，朋友這是由于應(yīng)變調(diào)制下界面勢(shì)壘高度的降低所致。這項(xiàng)研究為石墨烯的CVD生長(zhǎng)中的氣相反應(yīng)工程學(xué)提供了新的見(jiàn)解，歲左從而獲得了高質(zhì)量的石墨烯薄膜，歲左并為大規(guī)模生產(chǎn)具有改進(jìn)性能的石墨烯薄膜鋪平了道路，為將來(lái)的應(yīng)用鋪平了道路。

長(zhǎng)期從事新型光功能材料的基礎(chǔ)和應(yīng)用探索研究，朋友在低維材料、納米光電子學(xué)等方面做出了開(kāi)創(chuàng)性貢獻(xiàn)。通過(guò)控制的定向傳輸能力，歲左如單向滲透，雙向未滲透和雙向滲透，也可以獲得不同孔徑的PES膜梯度。

中國(guó)化學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、朋友中國(guó)國(guó)際科技促進(jìn)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、朋友中關(guān)村石墨烯產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)、中關(guān)村科技園區(qū)豐臺(tái)園科協(xié)第三屆委員會(huì)主席、教育部科技委委員及學(xué)風(fēng)建設(shè)委員會(huì)副主任和國(guó)際合作學(xué)部副主任。在超雙親/超雙疏功能材料的制備、歲左表征和性質(zhì)研究等方面，歲左發(fā)明了模板法、相分離法、自組裝法、電紡絲法等多種有實(shí)用價(jià)值的超疏水性界面材料的制備方法。