備招標(biāo)泛目前雙色檢測(cè)器的發(fā)展趨勢(shì)是在不使用外部機(jī)械和光學(xué)元件的情況下將光譜選擇性集成到單個(gè)光檢測(cè)器像素中。到目前為止，電招標(biāo)只有IR/IR雙色光電探測(cè)器由于外延條件相似，不同外延半導(dǎo)體層間晶格不匹配較小而得到了成功的發(fā)展。值得注意的是，力物聯(lián)網(wǎng)得益于一種新型非富勒烯受體（COi8DFIC）的窄帶隙和強(qiáng)大的近紅外吸收可與硅媲美，有機(jī)太陽(yáng)能電池的功率轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了14%以上。

為了發(fā)展多光譜檢測(cè)，建設(shè)研究人員最初專注于雙色檢測(cè)，以及一系列已經(jīng)提出了UV/UV、UV/可見(jiàn)光、UV/紅外（IR）、可見(jiàn)光/IR和IR/IR雙色光電探測(cè)器。作為外延半導(dǎo)體的替代品，物資溶液處理有機(jī)半導(dǎo)體已經(jīng)被公認(rèn)為制造高性能窄波段或多波段光電探測(cè)器的經(jīng)濟(jì)有效的替代品，物資其范圍從紫外線到近紅外（NIR）區(qū)域。

在0.6V偏壓下，開(kāi)始光電探測(cè)器可以在單色模式下工作，峰值響應(yīng)率在≈475nm時(shí)為0.09A?W?1，顯示出快速響應(yīng)速度（≈102ns）。

放量c）成像系統(tǒng)在0.6V時(shí)成像結(jié)果?！疽浴吭谶^(guò)去的幾十年里，國(guó)網(wǎng)成像技術(shù)取得了巨大的進(jìn)步，國(guó)網(wǎng)從單元成像和單色焦平面陣列成像到第三代低成本、高分辨率成像和多光譜成像能力的成像技術(shù)。

因此，新增信息結(jié)合鈣鈦礦材料和小分子的優(yōu)點(diǎn)，可以在可見(jiàn)光和近紅外波段實(shí)現(xiàn)高性能的雙色光電探測(cè)器。為了獲得高性能的雙色光電探測(cè)器，化設(shè)克服外延生長(zhǎng)中半導(dǎo)體層之間的晶格和熱不匹配是一個(gè)挑戰(zhàn)。

光電探測(cè)器在不提供任何電源的情況下，備招標(biāo)泛分別在≈544nm（可見(jiàn)光區(qū)）和≈920nm（近紅外區(qū)）顯示出兩種不同的截止波長(zhǎng)。由于I型異質(zhì)結(jié)，電招標(biāo)該器件可以通過(guò)施加較小的偏置電壓方便地將輕松地將雙色圖像轉(zhuǎn)換為單色圖像。