利用k-均值聚類算法，小破根據(jù)凹陷中心與紅線的距離，對(duì)磁滯回線的轉(zhuǎn)變過程進(jìn)行分類。流浪陰影區(qū)域表示用于創(chuàng)建凹度曲線的區(qū)域圖3-9分類模型精確度圖圖3-10（a~d）由高斯擬合鐵電體計(jì)算的凹面積圖。（i）表示材料的能量吸收特性的懸臂共振品質(zhì)因數(shù)圖像在掃描透射電子顯微鏡（STEM）的數(shù)據(jù)分析中，旅中些由于數(shù)據(jù)的數(shù)量和維度的增大，旅中些使得手動(dòng)非原位分析存在局限性。

【引語】干貨專欄材料人現(xiàn)在已經(jīng)推出了很多優(yōu)質(zhì)的專欄文章，小破所涉及領(lǐng)域也正在慢慢完善。流浪這樣當(dāng)我們遇見一個(gè)陌生人時(shí)。

文章詳細(xì)介紹了機(jī)器學(xué)習(xí)在指導(dǎo)化學(xué)合成、旅中些輔助多維材料表征、旅中些獲取新材料設(shè)計(jì)方法等方面的重要作用，并表示新一代的計(jì)算機(jī)科學(xué)，會(huì)對(duì)材料科學(xué)產(chǎn)生變革性的作用。

以上，小破便是本人對(duì)機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì)材料領(lǐng)域的發(fā)展作用的理解，如果不足，請(qǐng)指正。此外，流浪相界面的粗糙程度（兩相晶格匹配程度）也是需要重點(diǎn)關(guān)注的問題之一。

鄒進(jìn)教授在ISI9（WebofScience）刊物上已發(fā)表學(xué)術(shù)論文650多篇，旅中些其多數(shù)論文發(fā)表在國際知名刊物上并被引用18,000次。圖42?高壓下碲化鉛晶體結(jié)構(gòu)和電荷密度分布的轉(zhuǎn)變，小破高壓對(duì)碲化鉛的態(tài)密度、小破最優(yōu)載流子區(qū)間以及熱電優(yōu)值峰值的影響，硒化鉛在一定的壓力下實(shí)測(cè)得到的高室溫?zé)犭妰?yōu)值，填充型方鈷礦材料與納米磁性材料的復(fù)合以及其在外磁場(chǎng)下獨(dú)特的熱電性能，自然光聚焦溫差熱電發(fā)電器件的設(shè)計(jì)組成，伽馬射線對(duì)砷硒碲基材料熱電性能的影響，以及激光輻照對(duì)硼化鎂薄膜電性能的激發(fā)。

流浪2.新型材料結(jié)構(gòu)的多維化設(shè)計(jì)。旅中些要點(diǎn)24：熱電納米/微米帶納米/微米帶的合成方法及應(yīng)用領(lǐng)域均比較廣泛