圖三、變光備調(diào)二碲化鉬單層的形貌表征(a)各類樣品的照片:1cm×1cm的藍寶石襯底、生長了二碲化鉬單層的藍寶石、被轉(zhuǎn)移的二碲化鉬單層覆蓋的SiO2/Si襯底?!緢D文解讀】圖一、通信通道由固定化前驅(qū)體顆粒驅(qū)動的二碲化鉬單層生長示意圖(a)在襯底上旋涂溶液以實現(xiàn)液相前驅(qū)體液滴的均勻分布。及設(shè)(d)生長在藍寶石基質(zhì)上的厘米級二碲化鉬單層。

信通公司完成110千伏七里河變光通信通道及設(shè)備調(diào)試工作

試工(c)具有刮痕的二碲化鉬單層的光學圖像。作者認為,信通這一研究詳細闡釋了固定化前驅(qū)體顆粒用以生長大面積碲化鉬單層的微觀過程,為二維材料的生長制備提供了新的思考。

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圖二、公司在藍寶石上生長厘米級二碲化鉬單層(a)不同前驅(qū)體溶液中生長的二碲化鉬的單層覆蓋率。

進一步地,完成作者還改造了無刻蝕轉(zhuǎn)移方法可將二碲化鉬單層轉(zhuǎn)移到任一襯底上,并通過電學表征證實了二碲化鉬單層具有典型的半金屬特性。此外,變光備調(diào)減少的界面空隙和CBH殘留物穩(wěn)定了PSCs,提高了高效鈣鈦礦組件的產(chǎn)量。

通信通道這些空隙的形成與鈣鈦礦膜底部附近的非揮發(fā)性二甲基亞砜(DMSO)有關(guān)。(B)DMSO、及設(shè)CBH和加入DMSO和CBH的MA0.6FA0.4PbI3薄膜的FTIR譜圖。

試工插圖是PSC在1.04V偏置電壓下穩(wěn)定功率輸出600s。信通(E)用485nm激光從薄玻璃一側(cè)激發(fā)的(左)對照和(右)鈣鈦礦薄膜的PL圖。

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