此外,歌告還可將制備好的二維單晶作為襯底,歌告通過層間耦合的方法在其表面再次生長二維單晶,從而構(gòu)建層數(shù)、取向可控的多層二維單晶或垂直異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此,建數(shù)據(jù)中研究大尺寸二維單晶的生長,具有十分重要的意義?;痣姡╢)由單核生長的單晶石墨烯光學(xué)照片。

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因此,廠關(guān)現(xiàn)階段,總結(jié)已有的研究成果并且對二維單晶生長作出更加系統(tǒng)、深入地理解,可為今后更多二維單晶的可控生長打下基礎(chǔ)。現(xiàn)階段,停后二維單晶生長還具有巨大的研究空間和潛力。

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?圖四、歌告表面調(diào)控(a)Cu(111)上生長取向一致的石墨烯晶疇光學(xué)圖。

(2)多種優(yōu)異的性質(zhì),建數(shù)據(jù)中例如超高的載流子遷移率,界面之間的超快電荷轉(zhuǎn)移等。到目前為止,火電只有石墨烯與六方氮化硼(hBN)被制備出接近米量級的單晶。

雜相抑制的目標(biāo)是提高產(chǎn)物的相純度,廠關(guān)從而獲得更高的單晶質(zhì)量。(j-l)在局部氟輔助催化作用下,停后一種可能的碳源分解反應(yīng)路徑示意圖以及對應(yīng)的能量曲線。

現(xiàn)階段,歌告在所有二維材料中,只有石墨烯和hBN通過襯底的表面調(diào)控生長獲得了接近米量級的單晶。建數(shù)據(jù)中(n)利用第一性原理DFT計算不同取向hBN生長的能量曲線。

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