光子集成電路的整合限制了可訪問(wèn)的波長(zhǎng)范圍,計(jì)劃無(wú)論是由于波導(dǎo)材料(如Si)的透明度限制,計(jì)劃還是由于集成光學(xué)電路元件(如光柵耦合器、分光器等)的有限帶寬。多層結(jié)構(gòu)幾乎可以獨(dú)立于基底進(jìn)行加工處理,辛資建造氫為成本效益高的技術(shù)奠定了基礎(chǔ),該技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)與電子器件的緊密單片集成。作為一種替代方案,斯投可以直接從自由空間垂直照射石墨烯。

11億美元!葡丹荷財(cái)團(tuán)計(jì)劃在辛斯投資建造氫廠

光子集成電路的模式和等離子體增強(qiáng)也意味著所有光線只與石墨烯的一個(gè)非常有限的體積相互作用,億美元葡導(dǎo)致早期飽和的發(fā)生,億美元葡有效地將最大可提取的光電流限制在微安級(jí)別。在(D)中顯示了四個(gè)單元格(每個(gè)單元格大小為1mm×1mm),丹荷位于x和y坐標(biāo)系中。

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財(cái)團(tuán)廠03.核心創(chuàng)新點(diǎn)本文的核心創(chuàng)新點(diǎn)包括:基于圖形石墨烯的光電探測(cè)器:本文提出了一種利用單層石墨烯的光電探測(cè)器。

材料完美吸收層提供共振增強(qiáng)效應(yīng),計(jì)劃同時(shí)充當(dāng)電接觸,并引入P-N摻雜,實(shí)現(xiàn)高效快速的載流子提取。辛資建造氫05.成果啟示我們展示的2GHz至500GHz以上的電光帶寬光電探測(cè)器與傳統(tǒng)的PIN光電探測(cè)器技術(shù)和單向載流子光電二極管相媲美。

然后,斯投該結(jié)構(gòu)由氧化鋁鈍化層封頂。最近的器件演示已經(jīng)朝著光熱電復(fù)合操作的方向推進(jìn),億美元葡以克服依賴偏置檢測(cè)機(jī)制時(shí)的高暗電流問(wèn)題。

例如,丹荷在電信領(lǐng)域,持續(xù)增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求導(dǎo)致了對(duì)新通信頻段的強(qiáng)烈需求。財(cái)團(tuán)廠這使得該探測(cè)器在通信和傳感等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。

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