通過模擬沿b隧道的Zn離子擴(kuò)散來計(jì)算VO2和VO1.75中的Zn離子擴(kuò)散能壘（圖3e），國區(qū)當(dāng)鋅離子通過氧空位時(shí)，國區(qū)VO1.75的擴(kuò)散能壘（0.71eV）比純VO2（0.78eV）低（圖3f），較低的遷移能壘將使鋅離子沿主晶格中的b隧道快速擴(kuò)散。未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載，總裁朱海授權(quán)事宜請聯(lián)系[email protected]。另一方面，尹正根據(jù)表面電子密度的測試結(jié)果，無缺陷的V6O13（p-VO）表現(xiàn)出均勻的電荷分布（圖1c-d），而電子將在氧缺陷的V6O13周圍聚集（Od-VO，圖1e-f）。

得益于穩(wěn)固的氧缺陷-V6O13正極，接棒Zn//Od-VO電池在200次循環(huán)以上表現(xiàn)出前所未有的穩(wěn)定性，接棒高比容量接近400?mAh?g-1，達(dá)到95%的理論容量利用率，2000次循環(huán)后仍有67%的高利用率。從圖3a-b可以看到，施耐引入氧空位(VO)可以導(dǎo)致部分XRD衍射峰向右偏移。

類似的，德電哈爾濱師范大學(xué)鄧超教授課題組和哈爾濱工程大學(xué)張森副教授團(tuán)隊(duì)[7]通過水熱處理和隨后的高溫處理來設(shè)計(jì)含氧缺陷的V6O13-δ@C納米卷（圖2）。

缺陷工程在釩基電極材料的主要作用歸納為以下幾點(diǎn)：氣中（1）提高釩基材料的電導(dǎo)率，加快鋅離子擴(kuò)散和電荷轉(zhuǎn)移。電子顯微學(xué)和小角X射線散射表征揭示了四種膠體合金等價(jià)物的形成：國區(qū)間隙型、取代型、相分離型和金屬間合物型。

進(jìn)一步地，總裁朱海以裝載鉑離子的聚合物作為墨水，利用蘸筆納米光刻術(shù)（DPN）可以將納米反應(yīng)器的體積控制在幺升水平。特別是，尹正DNA修飾的卟啉MOF（PCN-222）不僅可以組裝形成二維超晶格，還展現(xiàn)出了可光氧化硫醚的催化活性。

接棒文獻(xiàn)鏈接：3DFreestandingDNANanostructureHybridasaLow-DensityHigh-StrengthMaterialACSNano：分子印章實(shí)現(xiàn)納米顆粒三維圖案化分子印章過程示意圖基于納米顆粒引導(dǎo)形成納米尺度結(jié)構(gòu)是設(shè)計(jì)具有預(yù)設(shè)功能納米材料的關(guān)鍵問題。施耐文獻(xiàn)鏈接：Chain-EndFunctionalizedPolymersfortheControlledSynthesisofSub-2nmParticles多金屬高指數(shù)晶面異質(zhì)納米顆粒多金屬二十四面體納米顆粒的結(jié)構(gòu)表征具有高指數(shù)晶面的多金屬異質(zhì)納米顆粒是一類頗具代表性的高效催化劑。