隨著異質(zhì)材料異質(zhì)集成需求的不斷增長，軟件榮登各種不同的liftoff技術(shù)得到了發(fā)展，軟件榮登包括epitaxiallift-off?(ELO)、機(jī)械剝離、laserlift-off和二維(2D)材料輔助層轉(zhuǎn)移(2DLT)等。[3]?這種模式已經(jīng)被用在TiN，年度AlN在Si(100)上生長，年度ZnO在αAl2O3?(0001)上生長，它們之間都有15%到25%的晶格失配，證明了III-V和III-N材料、氧化物和硅通過外延生長在單個(gè)晶圓片上的集成的可能性。圖7（左）顯示了無機(jī)InAlGaP紅光LED的示例，強(qiáng)化在聚二甲基硅氧烷襯底上具有非共面蛇形橋結(jié)構(gòu)，展示了它在機(jī)器人和臨床醫(yī)學(xué)應(yīng)用方面的能力。

一個(gè)溫和的解決方案是將生長的外延層從基板上剝離和轉(zhuǎn)移，研發(fā)遠(yuǎn)光優(yōu)秀這允許高度不匹配的材料系統(tǒng)的異質(zhì)集成。因此，管理通過異質(zhì)外延實(shí)現(xiàn)高效率器件的單片集成變得復(fù)雜、昂貴、耗時(shí)。

此外，軟件榮登剝離的面積產(chǎn)量取決于轉(zhuǎn)移的石墨烯層的質(zhì)量。

然而，年度隨著Si上不同材料的異質(zhì)集成變得越來越重要，我們相信這些方法將被重新審視和改進(jìn)，以更快的產(chǎn)量和更低的成本。我們探索未來的集成計(jì)算系統(tǒng)，強(qiáng)化可以利用先進(jìn)的外延生長和liftoff方法。

領(lǐng)域匹配外延(domainmatchingepitaxy,DME)是一種典型的生長方式，研發(fā)遠(yuǎn)光優(yōu)秀它通過匹配界面上主要晶格平面區(qū)域來實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的材料外延生長。這個(gè)過程類似于機(jī)械剝落，管理但有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：首先，剝落深度是由二維材料的位置決定的，而不是由金屬應(yīng)力源膜的應(yīng)力決定的，因此更容易控制。

因此，軟件榮登需要?jiǎng)?chuàng)新的方法來克服這些嚴(yán)格的外延晶格匹配規(guī)則，提高可制造性和可采用率。這種技術(shù)對(duì)于生長在高能帶隙襯底上的外延薄膜來說是快速和穩(wěn)定的，年度但因此在材料的可能范圍方面受到限制