這項(xiàng)工作突出了界面設(shè)計(jì)在基于納米流體膜的滲透能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的構(gòu)建中的重要性,濰坊證明了聚電解質(zhì)凝膠作為高性能界面材料在非均相滲透發(fā)電領(lǐng)域的巨大前景。這樣的膜設(shè)計(jì)大大促進(jìn)了跨膜離子的擴(kuò)散,利登有助于實(shí)現(xiàn)5.06Wm-2的高功率密度,這是基于納米流體膜的滲透能轉(zhuǎn)換的最高值。世山東2001年獲得國(guó)家杰出青年科學(xué)基金資助。

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界第2016年分別獲得日經(jīng)亞洲獎(jiǎng)(NikkeiAsiaPrizes);聯(lián)合國(guó)教科文組織納米科技與納米技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)(UNESCOMedalForContributiontotheDevelopmentofNanoscienceandNanotechnologies);2015年獲得ChinaNANO獎(jiǎng)(首位華人獲獎(jiǎng)?wù)撸?。此外,港口港順還多次獲中科院優(yōu)秀導(dǎo)師獎(jiǎng)。

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長(zhǎng)期從事新型光功能材料的基礎(chǔ)和應(yīng)用探索研究,濰坊在低維材料、納米光電子學(xué)等方面做出了開(kāi)創(chuàng)性貢獻(xiàn)。

未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載,利登授權(quán)事宜請(qǐng)聯(lián)系[email protected]。世山東c,d)峰值力輕敲前探針形貌的SEM圖像。

界第通過(guò)在不同溫度下在兩種固體之間進(jìn)行CE來(lái)確定載流子的特性是非??煽康姆椒ā8劭诟垌樧髡甙l(fā)現(xiàn)納米級(jí)的電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程遵循改進(jìn)的熱電子發(fā)射模型。

此外,濰坊該工作給出了相同材料之間CE以及CE中的極性反轉(zhuǎn)可能的解釋,并提供了通過(guò)改變溫差來(lái)控制TENG中CE的潛在方法。圖5溫差誘導(dǎo)電荷轉(zhuǎn)移的能帶結(jié)構(gòu)模型(EfE0)a,c,e)當(dāng)金屬溫度低于、利登等于或高于電介質(zhì)溫度時(shí),金屬的帶結(jié)構(gòu)和電介質(zhì)的表面狀態(tài)。

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