重復(fù)階段1至3（多個循環(huán)），要新要又在界面處可產(chǎn)生超平坦單晶石墨烯。光學(xué)顯微圖像顯示，力市力市所生產(chǎn)的單晶Cu（111）幾乎覆蓋了2英寸Al2O3（0001）晶片的整個區(qū)域（圖1d）。浸入液氮后快速加熱的處理使Cu（111）薄膜膨脹，場設(shè)場體用鑷子可輕易剝離，最后在藍(lán)寶石襯底上留下石墨烯薄膜。

在研究的九個組合中，計(jì)重Cu（111）和Al2O3（0001）的組合表現(xiàn)出六邊形對稱性和最佳晶格一致性。構(gòu)電利用基于菲克定律和對流擴(kuò)散方程的有限元模擬對碳原子溶解到Cu膜中并通過膜擴(kuò)散到Cu（111）-Al2O3（0001）界面過程進(jìn)行了研究。

最近，迫切隨著(111)取向的單晶銅箔制備技術(shù)的發(fā)展，銅箔上可以實(shí)現(xiàn)大面積無皺褶單晶石墨烯的規(guī)?；苽?。

通過在氫-氬氣氛條件下，適應(yīng)勢要對Al2O3（0001）接觸的商用多晶銅箔在接近銅的熔化溫度下長時間退火，適應(yīng)勢要成功地在Al2O3（0001）晶片上制造了2英寸的單晶Cu（111）薄膜。由于分子之間的相互作用相對較弱，新形型電系必重新定向過程的發(fā)生幾乎沒有阻礙。

使用最大熵法（MEM）分析中子衍射的數(shù)據(jù)，求需重構(gòu)核密度圖，可以獲得納秒尺度內(nèi)結(jié)構(gòu)無序的相關(guān)信息，進(jìn)而探索聚陰離子的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動。Na2B12H12可發(fā)生兩次相變，要新要又即在529K時從有序的單斜結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)椴糠譄o序、要新要又陰離子偽體心立方密積的結(jié)構(gòu)，并在545K時轉(zhuǎn)變?yōu)橥耆珶o序、陰離子體心立方密積的結(jié)構(gòu)。

純Na3PO4低溫時為四方多晶α相，力市力市表現(xiàn)出較差的離子導(dǎo)電性(~10-5?Scm-1,573K)，力市力市在約600K時發(fā)生相轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂懈邔ΨQ性的立方多晶γ相，并伴隨著體積膨脹(2.8%)、電導(dǎo)率提高一個數(shù)量級、Ea下降等現(xiàn)象（圖3d）。場設(shè)場體（d）已報(bào)道的電池和電容器的Ragone?圖【總結(jié)與展望】利用最先進(jìn)的技術(shù)(NMR,QENS和AIMD)已積累了足夠的證據(jù)來證實(shí)和解釋paddle-wheel機(jī)制——即轉(zhuǎn)動相中陰離子的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動有利于促進(jìn)陽離子的平移擴(kuò)散。