如圖12b所示,華電化建K2Sn相是K-最富相,最高的理論容量為452mAhg-1。(d)嵌入石墨層中的AlCl4-陰離子模型;(e)石墨中的中性AlCl4的四個基本擴散途徑;(f)不同階段-4GIC的原子結構和總能量,電廠包括平面和四面體(平躺和直立)幾何形狀;(g)平躺四面體幾何的能量取為零。圖7(a)在充電電壓1.99、設項2.37、2.42和2.45V以及放電電壓為2.3、2.24、1.8和0.5V時的NG的拉曼光譜。

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遠光放電這兩個XRD峰逐漸合并在~26.6°恢復為單峰。b)尋找電解質(zhì)添加劑,軟件燃料增加電解質(zhì)的分解電壓并提高SEI薄膜的穩(wěn)定性。

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與LIB相比,中標漳平智目前的DIB的研究仍處于初級階段。

因此,華電化建開發(fā)了多孔結構的優(yōu)點如下:(i)電解質(zhì)充分進入電極表面。平均TFSI-插入的廊道高度di和相應的廊道擴展Δd為7.96±0.05和4.61±0.05,電廠體積膨脹為137%。

Al箔為負極的Li基DIB,設項在2℃時,循環(huán)壽命200次,容量保持率為88%,并且倍率能力也不足。遠光(m)第一種Ca離子的DIB。

軟件燃料(n)完全脫鉀納米顆粒的電子衍射圖案。中標漳平智(d)PTPAn正極|KPF6|石墨負極的電池構造的DIB的機理。

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