虛擬d實(shí)驗(yàn)暗電流統(tǒng)計(jì)分布比較。電廠b不同EBLs的PPDs反暗電流密度。找出這種差異的原因?qū)橛行б种瓢惦娏魈峁╆P(guān)鍵的見(jiàn)解,補(bǔ)實(shí)從而提高探測(cè)能力。

虛擬電廠“補(bǔ)實(shí)”與推廣

值得注意的是,虛擬將鹵化鉛鈣鈦礦與錫合金進(jìn)一步擴(kuò)展到近紅外的探測(cè)范圍,吸收波長(zhǎng)可達(dá)1050nm。電廠圖5.Pb0.5Sn0.5I3鈣鈦礦和PTAA:poly-TPDEBL的光電二極管性能。

虛擬電廠“補(bǔ)實(shí)”與推廣

補(bǔ)實(shí)c在?0.5V下測(cè)量的線性圖顯示在近紅外輻射(940nm)下不同光子通量下的Jph。

虛擬a所有電子阻擋層的HOMO能級(jí)。電廠一種新穎的光學(xué)模型顯示本工作PSC的電壓增加了39mV。

ELQE沒(méi)有達(dá)到穩(wěn)態(tài),補(bǔ)實(shí)而是在正向和反向掃掠,以保持與太陽(yáng)模擬器一致的條件。為了改善能帶排列,虛擬減少非輻射猝滅,采用化學(xué)浴沉積法生長(zhǎng)SnO2電子選擇性層。

而790nm處的EL主要可歸結(jié)為PR,電廠而820和860nm處的EL則在這些波長(zhǎng)較低重吸收的基礎(chǔ)上顯得更為寬泛,使得光散射的貢獻(xiàn)相對(duì)更強(qiáng)。特別地,補(bǔ)實(shí)正如本工作在實(shí)驗(yàn)上所證明的那樣,如果不定量地理解PR和散射過(guò)程的作用,就不能解釋最近高效PSCs的成功。

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