列入這表明碳納米管可以被認為是空間應(yīng)用和其他高輻射環(huán)境中電子材料的優(yōu)秀候選者。電力重點總結(jié)了由傳統(tǒng)外延生長和新興范德瓦爾斯堆疊構(gòu)建的一維ZnO基異質(zhì)結(jié)構(gòu)。在這項研究中,主體制造了基于A-CNT薄膜的增強模式FET。

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