圖a:都展規(guī)由原位X射線全散射實驗得到的KAg3Se2粉末的約化原子PDF,G(r),其中r是距離的測量。湖南劃這代表了一種具有2D結(jié)構(gòu)的I類上離子導(dǎo)體。對陽離子取代的AAg3Se2(A=Li-Cs)化合物的熱分析表明,省氫其上離子轉(zhuǎn)變溫度可以由靜止電荷平衡層中堿金屬離子的組成來調(diào)節(jié)。

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圖d:打造洛倫茲分量的半寬最大值,Γvs.Q2。工程單位單元格是用黑色實線繪制的。

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第一類快離子導(dǎo)體(如AgI、機械A(chǔ)g2Se等)是由一階躍遷到快離子狀態(tài)定義的,到目前為止只在三維晶體結(jié)構(gòu)中被發(fā)現(xiàn)。

注意,都展規(guī)在713K(α相)處的Ag原子占有率為75%。湖南劃(d)CS-correctedHRTEM圖像。

濺射Mg-Gd層時,省氫隨著基底接近邊樣品臺邊緣,省氫FC/Pd/Mg0.7Gd0.3膜內(nèi)部結(jié)晶度增加,薄膜反射率光學(xué)變化區(qū)間由于層間相互作用提高了10%,達到75%,而此時透射率降低了4%,完全氫化所需的時間延長了近5倍。(e)CS-correctedHRTEM圖像,打造圈出的面積為納米區(qū)域。

樣品臺邊緣處沉積的Mg0.7Gd0.3層具有明顯的調(diào)制層結(jié)構(gòu),工程薄膜內(nèi)部成分波動和納米結(jié)晶區(qū)域較大,工程薄膜內(nèi)貧Gd層中主要為fcc結(jié)構(gòu)的Mg3Gd納米相,而富Gd層中主要為fcc結(jié)構(gòu)的Mg2Gd納米晶。鎂及鎂合金薄膜在吸脫氫過程中,機械薄膜在金屬初始反射態(tài)與半導(dǎo)體氫化透明態(tài)之間可逆轉(zhuǎn)變。

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