國(guó)網(wǎng)襯底的選擇對(duì)于石墨烯的生長(zhǎng)來說尤其重要。圖5.金屬-C相圖與石墨烯在金屬表面生長(zhǎng)機(jī)制示意圖反之,化轉(zhuǎn)當(dāng)使用低溶碳量的金屬(代表金屬為Cu)時(shí),化轉(zhuǎn)高溫裂解產(chǎn)生的碳原子僅能吸附在金屬表面,進(jìn)而在表面遷移,成核并生長(zhǎng)得到石墨烯薄膜。圖3.石墨烯在金屬表面的生長(zhǎng)示意圖在制備高質(zhì)量石墨烯的過程中,從國(guó)往往需要引入氫氣來促進(jìn)碳源裂解,提高石墨烯的均勻性和質(zhì)量。

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目前為止無膠轉(zhuǎn)移的方法主要是基于靜電力或有效控制轉(zhuǎn)移過程中的擾動(dòng)和表面張力,網(wǎng)電進(jìn)而提高轉(zhuǎn)移后的石墨烯的完整度。由于碳析出量很大程度上取決于溶解的碳濃度和降溫速率,商看數(shù)字金屬晶界處往往生成的石墨烯較厚,商看數(shù)字因此生長(zhǎng)的石墨烯以多層為主,層數(shù)不均勻且可控性較差。

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國(guó)網(wǎng)2009年6月到北京大學(xué)工作至今。

根據(jù)AB堆垛雙層石墨烯獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可知,化轉(zhuǎn)當(dāng)在其垂直方向上加上偏壓后,石墨烯的帶隙可以被打開,且其帶隙大小可以進(jìn)行有效地調(diào)節(jié)。本內(nèi)容為作者獨(dú)立觀點(diǎn),從國(guó)不代表材料人網(wǎng)立場(chǎng)。

網(wǎng)電同年獲得化學(xué)領(lǐng)域和材料領(lǐng)域湯森路透高被引科學(xué)家獎(jiǎng)以及最具國(guó)際引文影響力獎(jiǎng)。溫度的獨(dú)特分布將抑制生長(zhǎng)過程中的氣相反應(yīng),商看數(shù)字從而確保獲得清潔度得到改善的石墨烯。

1983年畢業(yè)于長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué),國(guó)網(wǎng)1984年留學(xué)日本,1990年獲東京大學(xué)博士,1990–1993年東京大學(xué)和國(guó)立分子科學(xué)研究所博士后。這些材料具有出色的集光和EnT特性,化轉(zhuǎn)這是通過摻雜低能紅色發(fā)射鉑的受體實(shí)現(xiàn)的。

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