我們分別對(duì)器件進(jìn)行了非持續(xù)測(cè)試和持續(xù)測(cè)試，力軍其中在初始亮度100cd/m2的持續(xù)測(cè)試下，器件的半衰期從2.1h提升到208h。同時(shí)降低了電場(chǎng)制動(dòng)下離子遷移帶來的載流子輸運(yùn)的不穩(wěn)定性，油企從而提高了電場(chǎng)作用下激發(fā)狀態(tài)載流子復(fù)合發(fā)光的穩(wěn)定性，油企實(shí)現(xiàn)了高效率下LEDs器件工作穩(wěn)定性的大幅度提升。圖4.器件工作穩(wěn)定性基于未交聯(lián)和交聯(lián)鈣鈦礦薄膜的LEDs在不同（a）掃描速率和（b）延遲時(shí)間下的EQE分布，目建及相應(yīng)的（c-f）I-V曲線。

對(duì)器件進(jìn)行了不同條件的測(cè)試，設(shè)主包括不同的掃描速率和曝光時(shí)間，設(shè)主可以看出，當(dāng)測(cè)試條件變化時(shí)，對(duì)比器件的I-V曲線和EQE的浮動(dòng)比較大，說明受離子遷移引起的內(nèi)建電場(chǎng)，以及由此導(dǎo)致的場(chǎng)分布和載流子聚集的影響比較大，而交聯(lián)鈍化的樣品則表現(xiàn)出了比較穩(wěn)定的性能。（g）對(duì)比、力軍未交聯(lián)及交聯(lián)鈍化器件在初始亮度為100cd/m2下亮度隨工作時(shí)間的變化曲線，（f）及相應(yīng)的電壓變化曲線。

因此，油企抑制電場(chǎng)作用下Br-的離子遷移，提高LED器件的工作壽命成為亟需研究并解決的問題。

【引言】CsPbX3作為發(fā)光材料的紅、目建綠、目建藍(lán)純?nèi)l(fā)光二極管(LEDs)在寬色域全彩顯示器領(lǐng)域中顯示出巨大的潛力，無機(jī)鈣鈦礦基發(fā)光二極管(PeLEDs)的外量子效率(EQE)得到了極大提升和突破。目前，設(shè)主機(jī)器學(xué)習(xí)在材料科學(xué)中已經(jīng)得到了一些進(jìn)展，如進(jìn)行材料結(jié)構(gòu)、相變及缺陷的分析[4-6]、輔助材料測(cè)試的表征[7-9]等。

然后，力軍為了定量的分析壓電滯回線的凹陷特征，構(gòu)建圖3-8所示的凸結(jié)構(gòu)曲線。深度學(xué)習(xí)算法包括循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（RNN）、油企卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）等[3]。

一旦建立了該特征，目建該工作流程就可以量化具有統(tǒng)計(jì)顯著性和納米級(jí)分辨率的效應(yīng)。發(fā)現(xiàn)極性無機(jī)材料有更大的帶隙能（圖3-3），設(shè)主所預(yù)測(cè)的熱機(jī)械性能與實(shí)驗(yàn)和計(jì)算的數(shù)據(jù)基本吻合（圖3-4）。