步優(yōu)?2022Theauthors圖677KTi-0.3O變形CG和UFG中位錯(cuò)的透射電鏡表征。c,化營(yíng)d?Ti-0.3OCG和UFG樣品的透射電鏡(TEM)圖像。b在77K塑性應(yīng)變?yōu)?.5%的UFGTi-0.3O合金中,查強(qiáng)位錯(cuò)在晶粒內(nèi)均勻分布。

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制攤這種不利于鈦延展性的氧敏感性的機(jī)制很大程度上歸因于局部塑性變形和脆弱的晶界。派征bTi-0.3OUFG(D=2.0μm)BSE圖像。

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頭稅插入兩種合金的真應(yīng)力-應(yīng)變曲線和應(yīng)變硬化速率曲線。

山東商環(huán)收過(guò)aCG純Ti和Ti-0.3O在77k時(shí)的工程應(yīng)力-應(yīng)變曲線。相關(guān)論文發(fā)表在ACSAppliedMaterials&?Interfaces上,發(fā)文費(fèi)浙江大學(xué)楊汝琪博士為論文第一作者,發(fā)文費(fèi)呂建國(guó)副研究員、皮孝東教授、諸葛飛研究員、葉志鎮(zhèn)院士為通訊作者。

光控人工突觸裝置可以模擬人類的學(xué)習(xí)記憶過(guò)程,進(jìn)境嚴(yán)并具有低功耗低延遲的優(yōu)點(diǎn)。此外,步優(yōu)我們通過(guò)調(diào)節(jié)柵極電壓,模擬了不同情緒對(duì)人類學(xué)習(xí)效率和遺忘率識(shí)別的影響。

化營(yíng)圖5不同柵極電壓a)-1V,b)-2V和c)-4V的光脈沖下的EPSC。e)τ1、查強(qiáng)τ2、τ3與脈沖數(shù)的關(guān)系。

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