重含量Cu摻雜可以在GeTe中獲得Cu2Te納米晶第二相，啟明Cu2Te納米晶形成聲子散射中心調(diào)控GeTe的聲子輸運(yùn)過(guò)程，啟明使Ge0.9In0.015Cu0.125Te材料的晶格熱導(dǎo)率在823K下降到0.31Wm-1K-1，低于理論計(jì)算的GeTe材料非晶極限值。同時(shí)In摻雜在GeTe費(fèi)米能級(jí)附近產(chǎn)生共振態(tài)能級(jí)，實(shí)現(xiàn)能夠提升材料的塞貝克系數(shù)，實(shí)現(xiàn)In、Cu雙摻還能顯著提高GeTe材料載流子遷移率，從而使材料功率因子顯著提升，將GeTe材料的熱電優(yōu)值ZT提升至2.0。作為窄禁帶半導(dǎo)體，遠(yuǎn)程GeTe具有高濃度空穴載流子（~1021cm-3），使其具有高熱導(dǎo)率和低塞貝克系數(shù)，從而導(dǎo)致其熱電性能不高。

論文信息AchievingUltralowLatticeThermalConductivityandHighThermoelectricPerformanceinGeTeAlloysviaIntroducingCu2TeNanocrystalsandResonantLevelDopingQingtangZhang,YongshengZhang,YueleiZhu,ZhuoyangTi,YangCao,ShuangLi,MeiyuWang,DiLi,BoZou,YunxiangHou,PengWang*,GuodongTang*,?ACSNano.文獻(xiàn)鏈接：復(fù)電https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05650（ACSNano，復(fù)電2021，DOI:10.1021/acsnano.1c05650）本文由作者投稿。國(guó)網(wǎng)股份這種電聲協(xié)同效應(yīng)導(dǎo)致GeTe材料熱電優(yōu)值從0.8提升至2.0。

信通星GeTe材料有望取代碲化鉛成為一種十分理想的環(huán)境友好型熱電材料。

圖1In、中電助力自動(dòng)Cu摻雜引入Cu2Te納米晶、中電助力自動(dòng)共振能級(jí)示意圖In、Cu雙摻優(yōu)化載流子濃度的同時(shí)提高了載流子遷移率，同時(shí)In摻雜引入共振能級(jí)提高了塞貝克系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)了功率因子的大幅提升。緊跟物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代凸顯創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)在倡導(dǎo)新零售、啟明宣揚(yáng)消費(fèi)升級(jí)的時(shí)代精神下，星港家居大膽加速品牌的蛻變步伐。

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