教鍵直接執(zhí)捷命圖5TiO2?NPs修飾GFET的柵壓可調(diào)光電特性。（a）TiO2NPs修飾前、程無后GFET的轉(zhuǎn)移特性對比;（b）TiO2NPs修飾GFET的轉(zhuǎn)移特性曲線;（c）和（d）分別為TiO2NPs修飾前、后GFET的輸出特性曲線。須E行快相關(guān)成果以題為Solar-blindultravioletdetectionbasedonTiO2?nanoparticlesdecoratedgraphenefield-effecttransistors的文章在線發(fā)表在Nanophotonics上。

【成果簡介】近日，教鍵直接執(zhí)捷命北京交通大學(xué)李莎莎（第一作者）、教鍵直接執(zhí)捷命鄧濤（通訊作者）等人利用溶液合成的二氧化鈦（TiO2）納米顆粒修飾埋柵式石墨烯場效應(yīng)管（GFET），實(shí)現(xiàn)了一種微型（特征尺寸30μm）紫外光電探測器。石墨烯優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)性能使之成為制造光電探測器的理想材料，程無但是由于單層石墨烯對光的吸收率很低（~2.3%），程無石墨烯紫外光電探測器的響應(yīng)度亟待提高。

須E行快圖3?TiO2?NPs修飾GFET的光電特性。

教鍵直接執(zhí)捷命（a）器件瞬時光電響應(yīng)隨柵壓變化。程無相關(guān)文章：催化想發(fā)好文章？常見催化機(jī)理研究方法了解一下。

研究者發(fā)現(xiàn)當(dāng)材料中引入硒摻雜時，須E行快鋰硫電池在放電的過程中長鏈多硫化物的生成量明顯減少，須E行快從而有效地抑制了多硫化物的穿梭效應(yīng)，提高了庫倫效率和容量保持率，為鋰硫電池的機(jī)理研究及其實(shí)用化開辟了新的途徑。教鍵直接執(zhí)捷命這項(xiàng)研究利用蒙特卡洛模擬計(jì)算解釋了Li2Mn2/3Nb1/3O2F材料在充放電過程中的變化及其對材料結(jié)構(gòu)和化學(xué)環(huán)境的影響。

通過不同的體系或者計(jì)算，程無可以得到能量值如吸附能，活化能等等。須E行快Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化學(xué)表征UV-visUV-visspectroscopy全稱為紫外-可見光吸收光譜。