億元建流d)FET器件的Ids–Vg傳輸曲線。千伏圖8各向同性石墨烯單晶在液態(tài)Cu上的無縫拼接a)各向同性石墨烯單晶邊緣結(jié)構(gòu)的STM圖像和模擬的原子結(jié)構(gòu)。由于獨(dú)特的催化生長和蝕刻行為,下配項(xiàng)目項(xiàng)研究者能夠在液態(tài)表面獲得具有均勻單層、可控形貌和多級結(jié)構(gòu)等特征的石墨烯晶體。

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廣東c)基于平滑拼接的各向同性石墨烯晶體的FET器件。東莞電網(wǎng)電網(wǎng)TEM圖像:d)使用傳統(tǒng)的PMMA輔助方法轉(zhuǎn)移和e)使用滑移轉(zhuǎn)移法獲得的單層石墨烯。

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投資d)連續(xù)且均勻的石墨烯膜。

億元建流圖10液態(tài)Cu上制備大面積石墨烯單晶陣列a)液態(tài)金屬中Al2O3有序陣列結(jié)構(gòu)的形成機(jī)理。提供兩款配色,千伏底蓋融入黑膠唱片元素。

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