【成果簡介】近日，理數(shù)大連理工大學(xué)教育部長江學(xué)者團(tuán)隊(duì)賀高紅教授、理數(shù)李祥村副教授、聯(lián)合美國德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校余桂華教授（共同通訊作者）報(bào)道了一種通過簡便的相轉(zhuǎn)化方法合成的具有可放大制備且柔性的三層結(jié)構(gòu)多C/SiO2膜。此外，減負(fù)作為氧化還原中間體形成的可溶性多硫化物（Li2Sx，4x≤8）的穿梭效應(yīng)現(xiàn)象使得庫侖效率低并且腐蝕鋰金屬負(fù)極，從而導(dǎo)致快速的容量衰減。例如設(shè)計(jì)各種載硫材料、中國智化增效修飾中間層和改進(jìn)電解液等。

此外，電科嵌入的極性納米SiO2顆粒對LiPS具有很強(qiáng)的化學(xué)吸附能力，有效地消除了穿梭效應(yīng)。院財(cái)相關(guān)研究成果Triple-LayeredCarbon-SiO2?CompositeMembraneforHighEnergyDensityandLongCyclingLi-SBatteries為題發(fā)表在ACSNano上。

【圖文導(dǎo)讀】圖一C/SiO2膜電極的制備過程以及相應(yīng)的形貌表征（a）不對稱多孔PAN和PAN/SiO2膜的三元相圖及其碳化成C和C/SiO2正極（b）DMF與非溶劑（去離子水）之間的溶劑交換，理數(shù)用于膜固化和孔形成（c，理數(shù)d）PAN/SiO2膜及其碳化成C/SiO2柔性電極的光學(xué)照片（e）C/SiO2復(fù)合物的橫截面SEM圖像（h）S沉積在C/SiO2膜孔中的SEM圖像（i-m）相應(yīng)的元素映射圖像表面S的均勻分布圖二C/SiO2膜的光譜表征以及與多硫化物的相互作用（a）SiO2納米顆粒，C膜，C/SiO2復(fù)合膜和負(fù)載S的C/SiO2膜的XRD圖譜（b）負(fù)載硫的C/SiO2膜正極在放電狀態(tài)下的S2p光譜（c）N1s光譜的C/SiO2和S負(fù)載的負(fù)載硫的C/SiO2膜（d）通過視覺辨別SiO2納米顆粒和LiPS之間的強(qiáng)相互作用（e）SiO2和LiPS之間相互作用的理論DFT模擬計(jì)算圖三C/SiO2膜正極的電化學(xué)性能表征（a）Al箔，C膜和C/SiO2膜電極的CV曲線（b）0.1C時(shí)不同正極極的充放電曲線（c）不同正極的倍率性能（d，e）硫載荷為1.5和2.8mgcm-2時(shí)不同正極的循環(huán)性能;（f）不同陰極的面積容量;（g，h）用兩個(gè)紐扣電池點(diǎn)亮藍(lán)色或綠色發(fā)光二極管的光學(xué)照片。

首先，減負(fù)硫及其放電產(chǎn)物(Li2S/Li2S2)的導(dǎo)電性差導(dǎo)致活性材料的利用率低和電化學(xué)反應(yīng)部分不可逆。2、中國智化增效中國在頂刊中出現(xiàn)的總數(shù)也是很可觀的。

在這篇文章中，電科小編根據(jù)JournalCitationReports上的數(shù)據(jù)匯總了各個(gè)國家和各個(gè)機(jī)構(gòu)對材料領(lǐng)域中的一些頂刊的貢獻(xiàn)結(jié)果。但是這個(gè)現(xiàn)象也僅僅只出現(xiàn)在AM上，院財(cái)在Science、Nature和PNAS中，排名前十的機(jī)構(gòu)沒有一個(gè)是中國的，而其他頂刊上，基本上也只有中科院入圍。

總體上而言，理數(shù)歐美國家的頂刊發(fā)文數(shù)量十分可觀，亞洲主要集中在中日韓新加坡四個(gè)國家JournalCitationReports是湯森路透旗下的一款產(chǎn)品，減負(fù)可以通過webofscience數(shù)據(jù)庫頂部的鏈接進(jìn)入。

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