注：物資三星、物資高通和谷歌曾于今年2月宣布結(jié)成XR聯(lián)盟，LG總裁趙柱完（音譯）也在今年7月舉行的中長(zhǎng)期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略新聞發(fā)布會(huì)上談到XR時(shí)表示，當(dāng)時(shí)正與幾家公司接觸并研究商業(yè)化的可能性。司宏國(guó)對(duì)XR設(shè)備的前景表示看好：競(jìng)爭(zhēng)交候我們認(rèn)為2024年將是VR、AR設(shè)備的增長(zhǎng)高峰年，未來2-5年是持續(xù)增長(zhǎng)期?！鴪D為高通第二代驍龍XR2平臺(tái)預(yù)計(jì)三星和LG將基于第三代芯片制造XR終端，性談選人以應(yīng)對(duì)Meta的Quest和蘋果的VisionPro等產(chǎn)品。

三星和LG并未明確說明何時(shí)推出產(chǎn)品，判采報(bào)道稱最早預(yù)計(jì)在明年上半年。據(jù)韓媒etnews今日?qǐng)?bào)道，國(guó)網(wǎng)購(gòu)成三星和LG已被證實(shí)正在開發(fā)基于高通芯片的XR設(shè)備。

高通技術(shù)公司副總裁兼XR部門總經(jīng)理司宏國(guó)（HugoSwart）日前在美國(guó)毛伊島上的活動(dòng)中表示，寧夏年第關(guān)于合作目前不能透露細(xì)節(jié)，寧夏年第但我們確實(shí)在與三星電子、LG電子合作。

同時(shí)，電力司宏國(guó)稱目前計(jì)劃在明年第一季度推出下一代XR芯片，電力將比MetaQuest頭顯采用的第二代芯片（XR2）更加先進(jìn)，預(yù)計(jì)在圖形處理能力、視頻透視能力和AI性能均會(huì)優(yōu)于第二代芯片。然而，物資在潮濕條件下CsPbI3的α相（黑相）會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)榉枪饷籀南啵S相），使器件性能嚴(yán)重惡化。

競(jìng)爭(zhēng)交候(c,d)CsPbI3和PTABr-CsPbI3薄膜的SEM。PTABr-CsPbI3光伏器件具有較高的VOC和FF，性談選人最高效率高達(dá)17.06%，穩(wěn)態(tài)輸出效率為16.3%，為目前已知無機(jī)鈣鈦礦電池效率之最。

判采(b)鈣鈦礦薄膜XRD（氮?dú)馐痔紫渲?0℃加熱72后）。國(guó)網(wǎng)購(gòu)成(c)PTABr-CsPbI3鈣鈦礦電池在氮?dú)馐痔紫渲械墓夥€(wěn)測(cè)試。