4.3MicroLEDMicro-LED在光學(xué)性能方面有著突出的表現(xiàn),控制其最大的問題是尺寸效應(yīng)帶來的效率下降和過高的生產(chǎn)成本。其中磷化鋁銦鎵和磷化銦鎵受尺寸效應(yīng)的問題困擾大,國際加上前者在高溫的不穩(wěn)定和欠佳的機械性能,令其難以應(yīng)用在更高端的Micro-LED場景。水平而后者則需要犧牲發(fā)光的亮度。

新一代直流換流閥控制系統(tǒng)達到國際領(lǐng)先水平

但單向排列的納米棒往往受限于膜中有限量子棒濃度,新系統(tǒng)導(dǎo)致亮度不足以作為顯示器中的增亮膜(BEFs)。他們分別有各自長處、代直達短板及瓶頸,但毋庸置疑的是三種技術(shù)都將在未來占有一席位。

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另一方面,流換流閥領(lǐng)先不少企業(yè)和院校都在投入研究單顆全彩LED。

量子效率的下降主要歸咎于側(cè)壁缺陷帶來的非輻射復(fù)合,控制由于晶體尺寸縮小到微米級,控制表面面積占整體面積的比例會變大,所以側(cè)壁缺陷的問題尤為明顯。圖7顯示了在相同電流密度下,國際直接發(fā)光的器件比透過濾光層的器件亮度提升了超過1倍。

圖3Micro-LED結(jié)構(gòu)示意圖四、水平【研究發(fā)展方向】這部分會挑選部分跟材料相關(guān)的方向,有興趣了解更多的讀者可以自行下載文章閱讀。在器件結(jié)構(gòu)上,新系統(tǒng)垂直堆疊的Micro-LED在最近幾年也獲得許多關(guān)注,包括清華大學(xué)、麻省理工大學(xué)、南方科技大學(xué)都有相關(guān)工作在進行。

圖12嵌進QD的多孔納米棒結(jié)構(gòu)在QD的可靠性方面,代直達Hsu等人透過將QD材料包覆在氯化鈉中,在不影響色彩表現(xiàn)的情況下連續(xù)運行了1500小時。其采用了硅基OLED(OLEDoS)技術(shù),流換流閥領(lǐng)先透過將OLED蒸鍍到硅基晶圓上,再通過半導(dǎo)體制程加工而得到微米級像素。

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