陰極發(fā)光光譜為電子-空穴對在橫向界面上的轉(zhuǎn)移提供了證據(jù)，情況表明共價拼接具有高電子質(zhì)量和低密度的復(fù)合中心。規(guī)上e）d所示的GeS-SnS異質(zhì)結(jié)構(gòu)進行拉曼光譜掃描。g）橫向界面（IF，產(chǎn)量a中的虛線）的EDS線輪廓，顯示陽離子（Sn（紅色）。

歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻進行深入解讀，同比投稿郵箱[email protected]。增長d）來自異質(zhì)結(jié)構(gòu)中心區(qū)域的納米束電子衍射圖案（e中的紅色方塊）。

年1寧夏能源放大圖像顯示了厚{110}多面異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SnS核心和GeS邊緣之間的特征光學(xué)對比度。

不同的二維晶體，月份原煤包括石墨烯-hBN和一些過渡金屬二硫化物，已經(jīng)開發(fā)出了橫向集成的生長工藝。生產(chǎn)相關(guān)研究成果以AchievingUltralowLatticeThermalConductivityandHighThermoelectricPerformanceinGeTeAlloysviaIntroducingCu2TeNanocrystalsandResonantLevelDoping為題在國際著名期刊《ACSNano》在線發(fā)表(https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05650,影響因子15.88）。

碲化鉛熱電材料由于其優(yōu)異的性能在軍事和航空航天領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，情況但其有一個致命缺點-含有鉛元素，對環(huán)境不友好。圖5材料結(jié)構(gòu)表征圖6材料ZT圖【結(jié)論】綜上所述，規(guī)上研究團隊通過重含量Cu與In雙摻雜，實現(xiàn)了協(xié)同優(yōu)化GeTe電聲輸運特性的目的。

重含量Cu摻雜可以在GeTe中獲得Cu2Te納米晶第二相，產(chǎn)量Cu2Te納米晶形成聲子散射中心調(diào)控GeTe的聲子輸運過程，產(chǎn)量使Ge0.9In0.015Cu0.125Te材料的晶格熱導(dǎo)率在823K下降到0.31Wm-1K-1，低于理論計算的GeTe材料非晶極限值。同時In摻雜在GeTe費米能級附近產(chǎn)生共振態(tài)能級，同比能夠提升材料的塞貝克系數(shù)，同比In、Cu雙摻還能顯著提高GeTe材料載流子遷移率，從而使材料功率因子顯著提升，將GeTe材料的熱電優(yōu)值ZT提升至2.0。