同時(shí)，王先該界面層有助于在電子傳輸層/吸收層界面處形成更有利的懸崖?tīng)钅軒帕校⒁种艻n2S3在潮濕空氣中轉(zhuǎn)化為In(OH)3。O1s是以約532.1eV為中心的主峰，生最歸屬于In2S3在大氣環(huán)境下潮解產(chǎn)生的In(OH)3，生最I(lǐng)nCl3后處理導(dǎo)致產(chǎn)生了一個(gè)額外的中心位于約530.0eV的新峰，可歸屬于InOCl中的晶格氧?！疚恼滦畔ⅰ啃滦蛯拵禝nOCl界面層鈍化In2S3/Sb2(S,Se)3異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池界面缺陷第一作者：樂(lè)購(gòu)?fù)蹰L(zhǎng)雪通訊作者：樂(lè)購(gòu)周儒*單位：合肥工業(yè)大學(xué)，牛津大學(xué)【研究背景】Sb2S3、Sb2Se3、Sb2(S,Se)3等銻基硫?qū)倩衔飸{借其優(yōu)異的材料和光電性能，如吸收系數(shù)高（~105?cm-1）、帶隙可調(diào)（1.1-1.7eV）、原料豐富且環(huán)境友好、易于制備、材料穩(wěn)定性?xún)?yōu)異等優(yōu)點(diǎn)，在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域獲得廣泛關(guān)注。

因此，王先通過(guò)界面工程有效修復(fù)缺陷對(duì)于構(gòu)建高質(zhì)量異質(zhì)結(jié)以促進(jìn)電荷分離和傳輸非常重要。In空位密度的降低將有助于抑制電荷復(fù)合、生最促進(jìn)電荷傳輸。

高密度缺陷會(huì)在In2S3薄膜中引起嚴(yán)重的缺陷誘導(dǎo)電荷復(fù)合，樂(lè)購(gòu)特別是在電子傳輸層/吸收層界面處，從而限制In2S3基光電器件性能的提升。

通過(guò)有效的缺陷修復(fù)以顯著抑制界面復(fù)合，王先基于In2S3/InOCl的Sb2(S,Se)3太陽(yáng)能電池獲得了5.20%的光電轉(zhuǎn)換效率，王先是In2S3基銻硫?qū)倩锉∧ぬ?yáng)能電池的最高效率。11月細(xì)分產(chǎn)品滲透率：生最UHD64%;大尺寸49%;智能90%;曲面7%、超輕薄6%。

11月重點(diǎn)尺寸銷(xiāo)量份額：樂(lè)購(gòu)TOP3：55英寸32.0%、32英寸16.2%、43英寸8.3%。王先11月彩電線(xiàn)上市場(chǎng)銷(xiāo)量為380萬(wàn)臺(tái),同比增長(zhǎng)25.1%,線(xiàn)上占全渠道比重為61.4%。

生最導(dǎo)讀：11月彩電市場(chǎng)銷(xiāo)量618萬(wàn)臺(tái),同比增長(zhǎng)7.3%,環(huán)比上升41.1%;銷(xiāo)額206億元,同比增長(zhǎng)15.0%,環(huán)比上升29.5%樂(lè)購(gòu)11月彩電線(xiàn)上市場(chǎng)銷(xiāo)量為380萬(wàn)臺(tái),同比增長(zhǎng)25.1%,線(xiàn)上占全渠道比重為61.4%。