除再結(jié)晶動(dòng)力學(xué)外，推出DDRX應(yīng)力-應(yīng)變曲線的形狀在很大程度上取決于初始晶粒尺寸。2.再結(jié)晶的分類再結(jié)晶可以有很多種分類，款電根據(jù)其發(fā)生的工藝，可以分為靜態(tài)再結(jié)晶(SRX)和動(dòng)態(tài)再結(jié)晶(DRX)。其方程為Z=εexp(Q/RT).需要明白的是再結(jié)晶是一個(gè)由變形貯存能驅(qū)動(dòng)的過(guò)程，應(yīng)裙變形量越大，則驅(qū)動(dòng)力越大，再結(jié)晶程度越高。

但是該技術(shù)的各種圖由于是利用采集的像素點(diǎn)根據(jù)材料科學(xué)進(jìn)行計(jì)算而來(lái)，推出誤差難以避免。2.1連續(xù)動(dòng)態(tài)再結(jié)晶(CDRX)高層錯(cuò)能(FE)材料在形變過(guò)程中由于有效的動(dòng)態(tài)回復(fù)作用形成了具有小角度晶界的胞狀或亞晶組織(LAGBs)，款電在較大的形變過(guò)程中逐漸演化為大角度晶界(HAGBs)，款電這一過(guò)程稱為連續(xù)動(dòng)態(tài)再結(jié)晶(CDRX).2.2不連續(xù)動(dòng)態(tài)再結(jié)晶(DDRX)在熱變形過(guò)程中，不連續(xù)動(dòng)態(tài)再結(jié)晶(DDRX)在低層錯(cuò)能(SFE)材料中經(jīng)常被觀察到，在低SFE材料中出現(xiàn)新的無(wú)應(yīng)變晶粒的形核，這些晶粒的生長(zhǎng)是以犧牲充滿位錯(cuò)的區(qū)域?yàn)榇鷥r(jià)的。

這解釋了為什么CDRX和GDRX通常在高γSFE中被觀察到，應(yīng)裙而DDRX在低γSFE材料中被預(yù)期。

如圖1所示，推出其中藍(lán)色表示再結(jié)晶晶粒，紅色為變形晶粒，黃色為亞結(jié)構(gòu)。款電(c)Cu和不同投料比所形成的Cu-Au核殼納米粒子的瞬態(tài)吸收光譜。

應(yīng)裙(c)Cu2.5Au1核殼納米粒子的XRD圖譜。通過(guò)深入的表征和分析能夠確定與形成的AuCu合金層相比，推出最外部的Au層在實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)穩(wěn)定性方面起著關(guān)鍵作用。

款電(d)Cu和Cu2.5Au1核殼納米粒子在飽和二氧化碳水溶液中的穩(wěn)定性。應(yīng)裙(f)Cu2.5Au1核殼納米粒子經(jīng)HNO3刻蝕前后的EDS圖譜。