隨著異質(zhì)材料異質(zhì)集成需求的不斷增長,分析各種不同的liftoff技術(shù)得到了發(fā)展,分析包括epitaxiallift-off?(ELO)、機械剝離、laserlift-off和二維(2D)材料輔助層轉(zhuǎn)移(2DLT)等。[3]?這種模式已經(jīng)被用在TiN,中國爭力AlN在Si(100)上生長,中國爭力ZnO在αAl2O3?(0001)上生長,它們之間都有15%到25%的晶格失配,證明了III-V和III-N材料、氧化物和硅通過外延生長在單個晶圓片上的集成的可能性。圖7(左)顯示了無機InAlGaP紅光LED的示例,物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)在聚二甲基硅氧烷襯底上具有非共面蛇形橋結(jié)構(gòu),展示了它在機器人和臨床醫(yī)學應(yīng)用方面的能力。

中國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)競爭力分析

一個溫和的解決方案是將生長的外延層從基板上剝離和轉(zhuǎn)移,業(yè)競這允許高度不匹配的材料系統(tǒng)的異質(zhì)集成。因此,分析通過異質(zhì)外延實現(xiàn)高效率器件的單片集成變得復雜、昂貴、耗時。

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此外,中國爭力剝離的面積產(chǎn)量取決于轉(zhuǎn)移的石墨烯層的質(zhì)量。

然而,物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)隨著Si上不同材料的異質(zhì)集成變得越來越重要,我們相信這些方法將被重新審視和改進,以更快的產(chǎn)量和更低的成本。我們探索未來的集成計算系統(tǒng),業(yè)競可以利用先進的外延生長和liftoff方法。

領(lǐng)域匹配外延(domainmatchingepitaxy,DME)是一種典型的生長方式,分析它通過匹配界面上主要晶格平面區(qū)域來實現(xiàn)高質(zhì)量的材料外延生長。這個過程類似于機械剝落,中國爭力但有幾個優(yōu)點:首先,剝落深度是由二維材料的位置決定的,而不是由金屬應(yīng)力源膜的應(yīng)力決定的,因此更容易控制。

因此,物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)需要創(chuàng)新的方法來克服這些嚴格的外延晶格匹配規(guī)則,提高可制造性和可采用率。這種技術(shù)對于生長在高能帶隙襯底上的外延薄膜來說是快速和穩(wěn)定的,業(yè)競但因此在材料的可能范圍方面受到限制

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