（d、光互e）具有2,5和10wt％PFM粘合劑的SiO負(fù)極在200mAg-1下的循環(huán)性能。構(gòu)建的多孔結(jié)構(gòu)不僅提供用于體積膨脹調(diào)節(jié)的自由空間，補(bǔ)項(xiàng)而且提供用于Li+擴(kuò)散的有效通道，用于提高SiO的循環(huán)穩(wěn)定性。伏送（c）多孔SiOx的HR-TEM圖像。

除了SiOC粉末樣品之外，出工程擬還構(gòu)建了用于LIBs的SiOC薄膜。環(huán)評(píng)獲批（e）組裝的d-SiO@vG/石墨//NCA18650全電池的數(shù)碼照片。

1.2、宜興SiO的鋰化行為了解鋰化/脫鋰的機(jī)理對(duì)于進(jìn)一步改善SiO的電化學(xué)性能是至關(guān)重要。

4.2.3、新建SiOC/金屬雜化負(fù)極材料將金屬引入SiOC以制備SiOC/金屬雜化負(fù)極也被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)電化學(xué)性能進(jìn)一步改善的有效方法。鎮(zhèn)漁兆瓦相關(guān)成果以題為Colossalgraingrowthyieldssingle-crystalmetalfoilsbycontact-freeannealing發(fā)表在了Science上。

這一發(fā)現(xiàn)，光互可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的單晶金屬箔片工業(yè)化生產(chǎn)。這些單晶金屬箔片在表面科學(xué)、補(bǔ)項(xiàng)基礎(chǔ)催化研究和各種其他應(yīng)用領(lǐng)域中具有許多用途。

【成果簡介】今日，伏送在韓國基礎(chǔ)科學(xué)研究所RodneyS.Ruoff教授和Hyung-JoonShin教授（共同通訊作者）團(tuán)隊(duì)的帶領(lǐng)下，伏送與蔚山國立科技研究所和成均館大學(xué)合作，報(bào)道了一種無接觸退火（CFA）策略，實(shí)現(xiàn)了通過商業(yè)多晶箔片普適性制備大面積單晶金屬箔片。?【圖文導(dǎo)讀】圖1通過CFA生產(chǎn)的單晶Cu（111）箔片圖2通過CFA生產(chǎn)的單晶Pt（111）箔片圖3?大面積單晶Cu的織構(gòu)演變和晶粒長大圖4從{112}111向{111}112方向轉(zhuǎn)變的單晶fcc箔片文獻(xiàn)鏈接：出工程擬Colossalgraingrowthyieldssingle-crystalmetalfoilsbycontact-freeannealing（Science,2018,DOI：出工程擬10.1126/science.aao3373）本文由材料人編輯部學(xué)術(shù)組木文韜翻譯，材料牛整理編輯。