具有低成本,數(shù)智門柔性和可靠性優(yōu)勢(shì)的晶體管已經(jīng)徹底改變了電子器件,使得電子器件更小,更便宜并且更高效。化轉(zhuǎn)核電b)上述三層OLET的光學(xué)圖像。型實(shí)圖二十九a)基于通過調(diào)制光摻雜區(qū)域?qū)崿F(xiàn)的MoTe2的邏輯反相器的示意圖。

數(shù)智化轉(zhuǎn)型實(shí)踐看三門核電

a)晶體管示意圖(左上),數(shù)智門n型a-Si(中左)和c-Si(左下)殼納米線的HRTEM圖像及晶體管電學(xué)特性?;D(zhuǎn)核電?圖三十a(chǎn))雙極型OLET和活性層中使用的有機(jī)材料的分子結(jié)構(gòu)的示意圖。

數(shù)智化轉(zhuǎn)型實(shí)踐看三門核電

型實(shí)g)制造的BPCMOS反相器的示意圖。

數(shù)智門e)雙極型晶體管最常用的結(jié)構(gòu)。同時(shí),化轉(zhuǎn)核電該方法為實(shí)現(xiàn)基于應(yīng)變調(diào)控的更復(fù)雜的范德華集成提供了新的思路。

(i)從應(yīng)變1L-MoS2到ZnO的電荷轉(zhuǎn)移效率提高的示意圖,型實(shí)這是由于應(yīng)變調(diào)制下界面勢(shì)壘高度的降低所致。圖三:數(shù)智門1L-MoS2和ZnO之間的界面電荷轉(zhuǎn)移(a)在532nm激發(fā)下,ZnO和Al2O3/ZnO上的1L-MoS2的PL光譜。

化轉(zhuǎn)核電【圖文導(dǎo)讀】圖一:具有周期性應(yīng)變調(diào)控的1L-MoS2/ZnO異質(zhì)結(jié)陣列的制備和基礎(chǔ)表征(a)1L-MoS2/ZnO異質(zhì)結(jié)陣列的示意圖。型實(shí)(f)區(qū)域C(未應(yīng)變的1L-MoS2)和D(應(yīng)變的11L-MoS2)中的MoS2的PL光譜。

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