2016年被英國(guó)皇家化學(xué)會(huì)評(píng)為中國(guó)高引用科學(xué)家，配電獲得江蘇省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，江蘇省333人才計(jì)劃支持。何讓（d）NaBr-CsPbBr3薄膜在空氣暴露不同時(shí)間的θ-2θXRD圖譜。電網(wǎng)倒貼?（f）在空氣暴露48小時(shí)后NaBr-CsPbBr3薄膜的SAED圖像。

此外，企業(yè)錢由于介電限域效應(yīng)，所形成的CsPbBr3/CsPb2Br5結(jié)構(gòu)大大增強(qiáng)了全無機(jī)鈣鈦礦薄膜的PL強(qiáng)度。?（e）在空氣暴露48小時(shí)后NaBr-CsPbBr3薄膜的TEM圖像，揭秘標(biāo)尺為200nm，插圖描繪了HRTEM圖像。

?（b）沒有在空氣中暴露的NaBr-CsPbBr3薄膜的TEM圖像，｜負(fù)標(biāo)尺為200nm。

數(shù)輸（d）CsPbBr3/CsPb2Br5的300次可逆循環(huán)中PL強(qiáng)度和發(fā)光峰峰位。配電2016年分別獲得日經(jīng)亞洲獎(jiǎng)（NikkeiAsiaPrizes);聯(lián)合國(guó)教科文組織納米科技與納米技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)（UNESCOMedalForContributiontotheDevelopmentofNanoscienceandNanotechnologies);2015年獲得ChinaNANO獎(jiǎng)（首位華人獲獎(jiǎng)?wù)撸?/p>

近期代表性成果：何讓1、何讓Angew：冷壁化學(xué)氣相沉積方法用于石墨烯的超凈生長(zhǎng)北京大學(xué)劉忠范院士，彭海琳教授和曼徹斯特大學(xué)李林教授展示了一種在CW-CVD系統(tǒng)中大面積生長(zhǎng)超潔凈石墨烯薄膜的簡(jiǎn)便方法，該方法制備的石墨烯薄膜具有改善的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。高導(dǎo)電性、電網(wǎng)倒貼卓越的吸附能力和精細(xì)的結(jié)構(gòu)使GQF成為一種很有前途的實(shí)時(shí)氣體檢測(cè)方法。

這樣的膜設(shè)計(jì)大大促進(jìn)了跨膜離子的擴(kuò)散，企業(yè)錢有助于實(shí)現(xiàn)5.06Wm-2的高功率密度，這是基于納米流體膜的滲透能轉(zhuǎn)換的最高值。藤島昭教授雖然是日本人，揭秘但他與中國(guó)的關(guān)系十分密切，這種密切的關(guān)系體現(xiàn)在3個(gè)方面：交流合作、培養(yǎng)人才、學(xué)習(xí)文化。