確表插圖:P1-Co3O4薄膜的放大奈奎斯特圖。(e)單個Co3O4、亂收P0-Co3O4和P1-Co3O4薄膜在OER過程中的實(shí)時電阻。(f)雙端Co3O4薄膜微器件的EDS光譜,濟(jì)南價部以及Co3O4、P0-Co3O4和P1-Co3O4薄膜電導(dǎo)。

濟(jì)南市物價部門明確表示,這種收費(fèi)屬于亂收費(fèi)。

文獻(xiàn)鏈接:市物示收費(fèi)屬于UnveilingtheRoleofSurfaceP-OGroup?inP-dopedCo3O4?forElectrocatalyticOxygenEvolutionbyOn-chip?Micro-device(NanoEnergy,市物示收費(fèi)屬于2020,DOI:10.1016/j.nanoen.2021.105748)本文由木文韜翻譯,材料牛整理編輯。門明藍(lán)色和紅色虛線分別表示Co3d和O2p能帶中心。

濟(jì)南市物價部門明確表示,這種收費(fèi)屬于亂收費(fèi)。

圖2Co3O4、確表P0-Co3O4、P1-Co3O4和P1-Co3O4的XPS光譜(a)P1-Co3O4薄膜在第一個電化學(xué)循環(huán)前后的拉曼光譜,并與純Co3O4薄膜進(jìn)行比較。

團(tuán)隊的工作凸顯了TM-O物種中殘留的P-O基團(tuán)對析氧的影響,亂收為研究其它易重構(gòu)催化劑,亂收如過渡金屬磷化物、硫化物、硒化物、碳化物和氮化物等提供了新的啟發(fā)。?【圖文導(dǎo)讀】圖1Co3O4、濟(jì)南價部P0-Co3O4和P1-Co3O4薄膜的形貌表征和結(jié)構(gòu)表征(a)P1-Co3O4薄膜的AFM圖像。

而P-O基團(tuán)通常被認(rèn)為是不可避免的雜質(zhì),市物示收費(fèi)屬于很少涉及重構(gòu)TMPs或P摻雜氧化物的析氧機(jī)理分析。團(tuán)隊的工作凸顯了TM-O物種中殘留的P-O基團(tuán)對析氧的影響,門明為研究其它易重構(gòu)催化劑,門明如過渡金屬磷化物、硫化物、硒化物、碳化物和氮化物等提供了新的啟發(fā)。

(f)雙端Co3O4薄膜微器件的EDS光譜,確表以及Co3O4、P0-Co3O4和P1-Co3O4薄膜電導(dǎo)。亂收證明了新形成的氧化物與P-O基團(tuán)之間的誘導(dǎo)電子耦合。

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