熱電材料為了獲得高ZT,好品須同時(shí)具有高電導(dǎo)率、大Seebeck系數(shù)以及低熱導(dǎo)率。藏兩高如何有效的提高n型PbTe的熱電性能對(duì)熱電器件的應(yīng)用尤為重要。因此,著lo追如何提高材料ZT,尤其是整個(gè)服役區(qū)間的平均熱電優(yōu)值(ZTavg)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

望岳談|山東好品里藏著“兩高”追求的密碼

圖3.晶體結(jié)構(gòu)和微觀(guān)結(jié)構(gòu),密碼偏心Zn合金化在PbTe基體中析出共格Ga2Te3納米相,并伴隨大量Te空位的形成,極大的提高了Ga摻雜n型PbTe載流子濃度和電導(dǎo)率(a)。(3)誘導(dǎo)析出的共格納米相Ga2Te3在阻礙聲子傳播的同時(shí),望岳維持了載流子較高的遷移率。

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談|熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)是實(shí)現(xiàn)上述目的的關(guān)鍵。

為此,山東福州大學(xué)羅中箴教授、山東新加坡南洋理工大學(xué)顏清宇教授和美國(guó)西北大學(xué)MercouriG.Kanatzidis教授及合作者,近期在n型PbTe材料中實(shí)現(xiàn)了熱電性能的新突破?!拘〗Y(jié)】對(duì)于幾種窄帶隙和中帶隙PPDs,好品實(shí)驗(yàn)的暗電流值超過(guò)了理論本征電流多個(gè)數(shù)量級(jí),好品從而排除了在沒(méi)有注入電流的情況下,鈣鈦礦大部分的熱電荷產(chǎn)生是暗電流的主要原因。

藏兩高【引言】減小薄膜柔性光電二極管的暗電流密度對(duì)近紅外(NIR)傳感和成像至關(guān)重要。著lo追在反向偏壓(?0.5V)下測(cè)量的噪聲電流與不同EBL-鈣鈦礦組合的PPDs暗電流密度的關(guān)系。

它們的高載流子遷移率、密碼長(zhǎng)的電子空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度和低激子結(jié)合能使得它們對(duì)光的響應(yīng)率高且快。這項(xiàng)工作建立了一個(gè)新的設(shè)計(jì)原則,望岳以最大限度地提高鈣鈦礦光電二極管的探測(cè)性。

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