本文還簡(jiǎn)要地討論了許多潛在的方法，館國(guó)這些方法可用于將1D納米結(jié)構(gòu)組裝到基于交叉開關(guān)連接以及復(fù)雜結(jié)構(gòu)（例如2D和3D周期性晶格）的功能設(shè)備中。慶假期門?ii)?由各種模板限制和控制的各向異性生長(zhǎng)。截至2021年2月17日，今起該文累計(jì)被引9,140次。

可預(yù)科技Electronicsandoptoelectronicsoftwo-dimensionaltransitionmetaldichalcogenides.Nat.?Nanotech.?7,699–712?(2012).https://doi.org/10.1038/nnano.2012.193.6.Superiorthermalconductivityofsingle-layergraphene該文2008年由美國(guó)加州大學(xué)河濱分校AlexanderA.Balandin教授等人發(fā)表于NanoLetters。設(shè)計(jì)石墨烯帶隙會(huì)增加制造復(fù)雜性，約省或者將遷移率降低到應(yīng)變硅膜的水平，或者需要高電壓。

金屬有機(jī)框架材料結(jié)構(gòu)百變，館國(guó)在諸多領(lǐng)域都大有可為。

慶假期門One-dimensionalnanostructures:Synthesis,characterization,andapplications.Adv.Mater.?15,5,353–389?(2003).https://doi.org/10.1002/adma.200390087.8.Processableaqueousdispersionsofgraphenenanosheets該文在2008年由澳大利亞臥龍崗大學(xué)GordonG.Wallace教授和Dan?Li教授等人發(fā)表于NatureNanotechnology。石墨烯被譽(yù)為新材料之王，今起推動(dòng)了新型電子器件的誕生和二維材料的蓬勃發(fā)展。

二維材料在下一代納米電子器件中的應(yīng)用很有吸引力，可預(yù)科技因?yàn)榕c一維材料相比，用它來制造復(fù)雜的結(jié)構(gòu)相對(duì)容易。此文中，約省作者使用氧化鉿柵極電介質(zhì)獲得了超過200cm2·V-1·s-1的室溫單層MoS2遷移率，約省接近石墨烯納米帶，并展示了電流開/關(guān)比為1×108，待機(jī)功耗極低的室溫晶體管。

更一般來說，館國(guó)石墨烯在概念上代表了僅有一個(gè)原子層厚的一類新材料，館國(guó)在此基礎(chǔ)上，石墨烯為低維物理學(xué)這個(gè)從未間斷并將持續(xù)為應(yīng)用提供沃土的領(lǐng)域提供了新的突破。目前，慶假期門Hummers法(KMnO4,NaNO3,?H2SO4)是用于制備氧化石墨烯的最常用方法。