底東西圖3室溫和低溫下背門雙層MoS2晶體管的直流電特性(a)具有不同溝道長(zhǎng)度的背門MoS2晶體管的光學(xué)顯微照片(比例尺為10μm)。迷奸該工作展示了CVD雙層MoS2在高頻應(yīng)用和靈活無(wú)線通信方面的巨大潛力。底東西(f-g)轉(zhuǎn)移后SiO2/Si襯底上雙層MoS2的AFM圖像(比例尺為1μm)。

「迷奸藥」到底是什么東西?

比例尺分別為30、迷奸40、50和100μm)?!疽浴慷S半導(dǎo)體因其原子級(jí)的薄體和優(yōu)異的載體傳輸性能而在諸如傳感器、底東西存儲(chǔ)器以及邏輯應(yīng)用等新興的電子產(chǎn)品領(lǐng)域應(yīng)用中受到極大的關(guān)注。

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基于CVD生長(zhǎng)單層MoS2的柔性聚酰亞胺基板上的射頻晶體管參數(shù)仍遠(yuǎn)低于基于剝離MoS2的器件,迷奸因而嚴(yán)重限制了它們的高頻應(yīng)用。

底東西(f)提取的固有場(chǎng)效應(yīng)遷移率與雙層MoS2FET溫度的關(guān)系圖。(b)在電壓范圍為3.0-4.6V(相對(duì)于Li+/Li)條件下,迷奸掃描速率為0.1mVs-1時(shí)具有2%LAF-LCO電極的電池循環(huán)伏安圖。

底東西(c)具有單純2%LAF-LCOLCO電極的全電池的工作電壓和比能量。迷奸(l)(j)圖中標(biāo)記3和4區(qū)域的電子衍射圖案。

底東西(k)(i)圖中標(biāo)記1和2區(qū)域的電子衍射圖案。迷奸(b)Al2p峰(包括Co3psat峰)的精細(xì)XPS掃描。

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