此外，規(guī)模與基于PBT1-C/PBDB-T的電池相比，基于PBT1-C-2Cl/PBDB-T-2Cl：BTA3的OSC的總電壓損耗更低（0.52V）：BTA3共混（0.60V）。這些混合膜的電荷轉(zhuǎn)移態(tài)能量（ECT）高達(dá)1.70-1.76eV，氫港單重態(tài)激發(fā)態(tài)和電荷轉(zhuǎn)移態(tài)之間的能量差異很?。éCT≈0.1eV）。對(duì)于無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池或鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，建設(shè)ΔVnon-rad可以低于0.1eV。

另外，初具ΔVnon-rad也是OSC中大電壓損耗的主要原因，降低ΔVnon-rad，對(duì)于改善Voc中起著至關(guān)重要的作用。這是由于OSC中的電壓損耗（Vloss）較高，規(guī)模通常大于0.6V，而鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的Vloss卻可以低于0.4V。

此外，氫港將氯原子引入苯并二噻吩（BDT）單元的π橋或側(cè)鏈后，氫港在基于PBTI-C‐2Cl和PBDB‐T‐2Cl的OSC中，電致發(fā)光外部量子效率高達(dá)1.9×10-3和1.0×10-3，對(duì)應(yīng)的ΔVnon-rad為0.16和0.17V，低于不含氯原子的類似聚合物的OSC的ΔVnon-rad（對(duì)于PBT1-C和PBDB-T，分別為0.21和0.24V），Voc高達(dá)1.3V。

更重要的是，建設(shè)通過(guò)采用能夠提供高ECT和低ΔECT的材料組合，能夠有效降低OSC的ΔVnon-rad，甚至可以與無(wú)機(jī)或鈣鈦礦太陽(yáng)能電池相比。經(jīng)銷商和消費(fèi)者通過(guò)本次活動(dòng)，初具了解企業(yè)的發(fā)展足跡、文化理念、精神風(fēng)貌，能更清晰地認(rèn)識(shí)企業(yè)的內(nèi)核。

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