力簽料電高縱橫比的銅納米線通過油胺（OLA）介導(dǎo)的溶液系統(tǒng)（以Ni離子為催化劑）合成的。就性能和成本而言，燃作由于Cu含量豐富，成本低和高電導(dǎo)率而成為最有前途的TCE材料之一。采用激光掃描焊接法成功制備銅納米線TCE的完整紫外線和藍色LED芯片，動機動機等方度合并實現(xiàn)了明亮的頂面發(fā)光。

參考文獻:[1]ACSNano14,6761-6773(2020).[2]JournalofPhysicalChemistryLetters11,2559-2569(2020).[3]ScientificReports8,13721(2018).[4]ACSAppliedMaterialsInterfaces8,28709(2016).[5]ScientificReports6,34766(2016).[6]Nanoscale7,10613–10621(2015).[7]ScientificReports3,2323(2013).[8]LaserPhotonicsReviews7,572(2013).【圖文導(dǎo)讀】圖1.銅納米線的表征（a）銅納米線的光學(xué)顯微圖像（b）銅納米線的SEM圖像（c）XRD圖譜分別表示Cu（111），面深Cu（200）和Cu（220）在43.5°，面深50.6°和74.3°處的衍射峰單個CuNW的（d，e）TEM圖像和CuNW選定區(qū)域的HRTEM圖像，0.208-nm晶格參數(shù)對應(yīng)于Cu（111）平面的距離（f）銅納米線的晶體結(jié)構(gòu)和刻面示意圖（g）XRD圖譜分別表明Cu（111），Cu（200）和Cu（220）在43.5°，50.6°和74.3°處的衍射峰圖2.激光輻照表征（a）對銅納米線進行激光輻照處理的完整過程的示意圖（b-e）紫外激光束以0、4、8和12mJ/cm2的輻射能量掃描的銅納米線的SEM圖像（f）銅納米線薄膜的吸光度與波長的關(guān)系（g）激光輻照前后的銅納米線的AES光譜（h）激光輻照前后銅納米線的FT-IR光譜圖3.CuNW的熱分布（a）帶有接觸結(jié)的交叉式銅納米線的模型結(jié)構(gòu)，用于有限元模擬（b）脈沖紫外激光的光譜，顯示在248nm處的中心峰（c）計算得出的交叉銅納米線相對于激光波長的熱分布，范圍為220至800nm（d）各種直徑的交叉CuNW的熱分布計算值（e）計算出不同距離的交叉CuNW的熱分布圖4.銅納米線的應(yīng)用表征（a）各種油墨濃度下的銅納米線TE的透射率（b）不同濃度的銅納米線TE的透射率與薄層電阻的關(guān)系（c）在室溫下暴露于空氣中30天的不同方法處理的銅納米線的表面電阻與老化時間的關(guān)系（d）在85oC和RH=90％的條件下放置14天的各種CuNWs薄膜的表面電阻與老化時間的關(guān)系（e,f）在環(huán)境中暴露30天并在85oC和RH=90％的條件下暴露14天的激光焊接CuNW的XPS光譜圖5.用于柔性顯示（a）用于程序化激光掃描的運動控制站示意圖（b）運動控制站的照片（c）在PET上大面積激光焊接柔性NWsTCE薄膜（d）警告信號模塊，具有透明靈活的電路，通過編程的激光掃描焊接編寫而成，并與電子元件結(jié)合在一起（e-f）粉色LED指示燈或綠色LED指示燈發(fā)出警告信號的操作狀態(tài)圖6.器件的制備與表征（a）具有銅NWsTCE的GaN基UVLED的完整結(jié)構(gòu)示意圖（b-d）UVLED芯片的制備過程示意圖（e-f）通過圖案化壓印銅納米線傳統(tǒng)文化表現(xiàn)形式在板上制造的UVLED芯片的照片（g）激光焊接CuNWsTCE的UVLED的I-V曲線（h）在各種注入電流下，UVLED的EL光譜，在385nm處顯示出尖銳的發(fā)射峰（i）帶有激光焊接的銅NWsTCE和ITO的UVLED的光輸出功率和EQE作為電流的函數(shù)進行比較【小結(jié)】金屬納米線（NWs）已顯示出下一代透明導(dǎo)電（TC）材料的卓越進步?！疽浴客该鲗?dǎo)電電極（TCE）在各種日常使用的電子設(shè)備（包括觸摸屏，汽博約太陽能電池，發(fā)光二極管，加熱膜等）中起著關(guān)鍵作用

恪守初衷，解放與品質(zhì)同行佛山市歐若德門窗系統(tǒng)有限公司是一家集鋁合金門窗研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的綜合型企業(yè)。

近日，世動在諸多媒體和廣大網(wǎng)民的見證下，世動「中國十大品牌」榜單正式揭曉!歐若德門窗憑借卓越的產(chǎn)品品質(zhì)、優(yōu)秀的市場口碑和突出的社會責任感，在高手如云的競爭中脫穎而出，最終斬獲中國十大門窗品牌重磅殊榮!據(jù)悉，「中國十大品牌」以打造品牌力量為主題，旨在褒揚勇于變革、敢于創(chuàng)新的企業(yè)精神，激勵那些為構(gòu)建發(fā)展新格局邁出新步伐的實踐者。器件中離子遷移途徑分為兩類：力簽料電鈣鈦礦層和電荷傳輸層之間的離子交換和滲透，以及金屬原子從電極擴散到甚至穿過電荷傳輸層。

另一方面，燃作利用多元A位摻雜效應(yīng)，通過引入堿金屬離子制備出致密均勻的三元Cs/Rb/KPbBr3薄膜。全無機CsPbX3材料因其具有較高的光熱穩(wěn)定性，動機動機等方度合成為近年發(fā)光二極管中的熱門材料。

面深這些缺陷導(dǎo)致的穩(wěn)定性問題阻礙了無機鈣鈦礦發(fā)光二極管的發(fā)展。汽博約(e)全無機異質(zhì)結(jié)器件在運行前后的部分元素分布放大圖。

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