此外，新機不尋常的弛豫模式能夠使OOH中間體與能夠降低限速步驟反應自由能的相鄰表面氧形成氫鍵。特別地，年打額外的Fe單層導致活性位點處的氧化態(tài)和鍵合機制的可控調(diào)節(jié)，是有望改善尖晶石催化劑性能的策略之一。為了比較，擊治堅戰(zhàn)具有Co活性位點的原始A和B終端的過電勢隨pH的變化以黑線標記。

【成果簡介】近日，理攻德國杜伊斯堡-艾森大學RossitzaPentcheva教授(通訊作者)等使用DFT+U計算探索了表面終止原子和陽離子取代對CoxNi1-xFe2O4(001)表面(x=0.0,0.5,1.0)陽極材料氧析出反應(OER)性能的影響，理攻并在ACSCatal.上發(fā)表了題為SurfaceTerminationandCompositionControlofActivityoftheCoxNi1-xFe2O4(001)SurfaceforWaterOxidation:InsightsfromDFT+UCalculations的研究論文。山東文獻鏈接：SurfaceTerminationandCompositionControlofActivityoftheCoxNi1-xFe2O4(001)SurfaceforWaterOxidation:InsightsfromDFT+UCalculations(ACSCatal.,2018,DOI:10.1021/acscatal.8b00574)本文由材料人編輯部abc940504編譯整理。

圖4中間體累積自由能和Co0.5Ni0.5Fe2O4(001)反應位點的過電勢B層(左)和A層(右)末端的中間體累積自由能ΣΔGi以及用于混合氧化物的相應中間體結構的側(cè)視圖，構建中間步驟1-4以其產(chǎn)物*OH,*O,*OOH和*()表示。

詐r制開展投稿以及內(nèi)容合作可加編輯微信：cailiaorenvip。注：新機三星、新機高通和谷歌曾于今年2月宣布結成XR聯(lián)盟，LG總裁趙柱完（音譯）也在今年7月舉行的中長期業(yè)務戰(zhàn)略新聞發(fā)布會上談到XR時表示，當時正與幾家公司接觸并研究商業(yè)化的可能性。

三星和LG并未明確說明何時推出產(chǎn)品，年打報道稱最早預計在明年上半年。據(jù)韓媒etnews今日報道，擊治堅戰(zhàn)三星和LG已被證實正在開發(fā)基于高通芯片的XR設備。

▲圖為高通第二代驍龍XR2平臺預計三星和LG將基于第三代芯片制造XR終端，理攻以應對Meta的Quest和蘋果的VisionPro等產(chǎn)品。同時，山東司宏國稱目前計劃在明年第一季度推出下一代XR芯片，山東將比MetaQuest頭顯采用的第二代芯片（XR2）更加先進，預計在圖形處理能力、視頻透視能力和AI性能均會優(yōu)于第二代芯片。