因此,中國探索是否有可能形成能夠使石墨烯和磷烯優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的穩(wěn)定磷化硅(PC)單層是十分有意義的。實(shí)際上,風(fēng)電發(fā)展從理論上已經(jīng)提出了幾種表現(xiàn)出金屬、半金屬和直接/間接帶隙半導(dǎo)體特征的PC單層。【小結(jié)】綜上所述,產(chǎn)業(yè)作者應(yīng)用第一性原理集群智能結(jié)構(gòu)搜索計(jì)算來預(yù)測(cè)迄今尚未發(fā)現(xiàn)的褶皺類石墨烯半導(dǎo)體PC6單層,產(chǎn)業(yè)其直接帶隙為0.84eV,具有高載流子遷移率和各向異性特征,可有效地隨應(yīng)變調(diào)節(jié)。

2020中國風(fēng)電產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)

便于比較,中國石墨烯、二硫化鉬、磷烯、PC單層和體相硅的吸收譜也包含在內(nèi)。另一方面,風(fēng)電發(fā)展PC6在300至2000nm的寬帶中具有高吸收系數(shù)(105cm-1)。

2020中國風(fēng)電產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)

產(chǎn)業(yè)上述優(yōu)越性質(zhì)使預(yù)測(cè)的PC6單層有望在電子和光伏器件中得到應(yīng)用。

由于其獨(dú)特的鍵排列(即C-Csp2和P-Csp3雜化),中國PC6單層表現(xiàn)出高內(nèi)聚能和出色的熱穩(wěn)定性,為其實(shí)驗(yàn)合成提供了很高的可能性。風(fēng)電發(fā)展(f)所制備的GDY納米片的AFM圖像。

產(chǎn)業(yè)(b)GDY粉末和(c)制備的N和F共摻雜GDY粉末(NFGD)的TEM圖像。中國(b)GDY合成和LIB制備過程的示意圖。

風(fēng)電發(fā)展(e)分子3的分子間表面σ-鍵復(fù)分解產(chǎn)物的自組裝;(f)Glaser聚合物3上的高分辨率STM圖像。產(chǎn)業(yè)(g)來自2D掠入射廣角X射線散射圖案的對(duì)角線和水平圖。

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