(C)在15K的30-mV偏壓下,湖生護(hù)和劃到化寬度(420-10nm)、通道長度為200nmNR的傳輸曲線。在溫度高達(dá)60K下,態(tài)保在納米帶的傳輸特性呈現(xiàn)寬度依賴的庫侖阻斷振蕩,證明了這種合成策略對未來納米電子學(xué)具有很高的價(jià)值。高質(zhì)圖3模型和DFT計(jì)算(A)雙層MoS2條帶的雙向生長示意圖。

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展規(guī)投稿以及內(nèi)容合作可加編輯微信:cailiaokefu?!境晒喗椤拷?,域內(nèi)美國本田研究所公司的AvetikR.Harutyunyan研究員(通訊作者)等人發(fā)現(xiàn),域內(nèi)鎳納米粒子既能促進(jìn)第一層二硫化鉬的異質(zhì)成核,又能通過氣液固(VLS)機(jī)制催化第二層向外延生長,形成寬度由納米粒子直徑控制的雙層納米帶。

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圖4基于MoS2NR的雙層FET器件的電氣性能(A)在300K和15K下,城鎮(zhèn)偏壓為100mV時(shí),通道長度400nm的寬度8nm的NR器件傳輸曲線。

山東(D)不同前體混合物的DSC曲線??偟膩砜矗l(fā)布中國科學(xué)院大學(xué)位列國內(nèi)高校第一,世界排名第107位,入選學(xué)科數(shù)也達(dá)到17個(gè)之多。

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