此外，敗重Gd2O3:Al2O3?=29:71的助熔劑生長(zhǎng)的Ce:GGAG晶體具有更快的衰減時(shí)間(64ns)和更高的快組分比(85%)。災(zāi)區(qū)主要研究方向?yàn)椋盒滦凸怆姽δ懿牧系年P(guān)鍵制備技術(shù)及結(jié)構(gòu)物性調(diào)控。將閃爍體與光電倍增管耦合組成的閃爍探測(cè)器被作為核心器件應(yīng)用于高能射線探測(cè)成像裝置中，分享在核醫(yī)學(xué)成像，分享高能物理，工業(yè)無損檢測(cè)，油井勘探，安檢防恐等生產(chǎn)生活領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。

圖2?移行助劑法晶體生長(zhǎng)的示意圖??RSC本文首次將移行助劑法引入到Ce:GGAG的晶體生長(zhǎng)，年輕以解決浮區(qū)生長(zhǎng)過程的熔區(qū)不穩(wěn)和低Ga含量下的非一致熔融傾向問題。人創(chuàng)分別研究了Gd2O3:Al2O3?=25:75,27:73,29:71作為助熔劑組份的晶體生長(zhǎng)情況。

E-mail：業(yè)失[email protected]黃新堂（1957-），男，1999年畢業(yè)于華中科技大學(xué)，獲博士學(xué)位。

E-mail：敗重[email protected]石云（1978-），女，2006年畢業(yè)于中國科學(xué)院固體物理研究所，獲得博士學(xué)位。此外，災(zāi)區(qū)越來越多的研究工作開始涉及了使用XAS等需要使用同步輻射技術(shù)的表征，而搶占有限的同步輻射光源資源更顯得尤為重要。

在X射線吸收譜中，分享閾值之上60eV以內(nèi)的低能區(qū)的譜出現(xiàn)強(qiáng)的吸收特性,稱之為近邊吸收結(jié)構(gòu)(XANES)。近年來國際知名期刊上發(fā)表的鋰電類文章要不就是能做出突破性的性能，年輕要不就是能把機(jī)理研究的十分透徹。

原位XRD技術(shù)是當(dāng)前儲(chǔ)能領(lǐng)域研究中重要的分析手段，人創(chuàng)它不僅可排除外界因素對(duì)電極材料產(chǎn)生的影響，人創(chuàng)提高數(shù)據(jù)的真實(shí)性和可靠性，還可對(duì)電極材料的電化學(xué)過程進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，在電化學(xué)反應(yīng)的實(shí)時(shí)過程中針對(duì)其結(jié)構(gòu)和組分發(fā)生的變化進(jìn)行表征，從而可以有更明確的對(duì)體系的整體反應(yīng)進(jìn)行分析和處理，并揭示其本征反應(yīng)機(jī)制。業(yè)失該項(xiàng)研究也為高性能富錳正極拓寬了其在電池領(lǐng)域的新的應(yīng)用。