充電d）PbI2層的平行和垂直結(jié)晶取向示意圖。c、浙江舟山主體樁d）基于不同MACl/MAI質(zhì)量比的(ThMA)2(MA)2Pb3I10薄膜的GIWAXS圖和SEM圖。鼓勵(lì)各類公共b）不同過飽和條件下RP鈣鈦礦的結(jié)晶機(jī)制示意圖。

建設(shè)j）不同Li+摻雜量的Li+摻雜(BA)2(MA)3Pb4I13-RP鈣鈦礦的XRD圖譜。3.4.3基于DMSO的雙溶劑工程與添加劑工程相結(jié)合3.4.4下層表面調(diào)控工程與優(yōu)化制備工藝相結(jié)合【結(jié)論展望】綜上所述，充電層狀RP鈣鈦礦的良好疏水性使其有可能解決3D-PSCs的不穩(wěn)定性問題，充電但由于制備高質(zhì)量RP鈣鈦礦薄膜存在一定的難度，RP鈣鈦礦基PSCs的效率仍然落后于3D-PSCs。

【成果簡介】近日，浙江舟山主體樁南京工業(yè)大學(xué)/澳大利亞科廷大學(xué)邵宗平教授、浙江舟山主體樁南京工業(yè)大學(xué)王緯教授等人旨在通過對影響RP型鈣鈦礦薄膜形成的因素的研究，全面了解高質(zhì)量RP型鈣鈦礦薄膜的形成機(jī)制。

3.4不同策略對高質(zhì)量RP鈣鈦礦膜形成的協(xié)同效應(yīng)3.4.1優(yōu)化制備工藝來協(xié)助組成工程a、鼓勵(lì)各類公共b）基于不同MACl/MAI比例的(PTA)2(MA)3Pb4I13薄膜的2DGI-XRD圖譜和SEM圖。（C，建設(shè)D）加熱時(shí)，在1MHz處，化合物1和化合物2晶體樣品的a，b和c軸上介電常數(shù)與溫度的關(guān)系。

該研究使用的一種簡單方法培養(yǎng)大尺寸鈣鈦礦單晶，充電有助于推動(dòng)鈣鈦礦材料在X射線探測方面的應(yīng)用。在平面型鈣鈦礦電池和柔性鈣鈦礦太陽電池方面，浙江舟山主體樁均先后幾次報(bào)道了領(lǐng)域最高效率，浙江舟山主體樁特別是采用獨(dú)特的界面修飾方法和雙源共蒸法，平面異質(zhì)結(jié)電池效率超過了20%。

鼓勵(lì)各類公共然而金屬基鈣鈦礦材料仍存在一些問題。電化學(xué)測試驗(yàn)證了基于Pt-C4助催化劑的樣品具有較低分解水產(chǎn)氫過電位以及載流子界面遷移勢壘，建設(shè)DFT進(jìn)一步得出質(zhì)子吸附在該單原子位點(diǎn)上快速的電子遷移能力，建設(shè)該工作為制備高效光催化劑體系提供一個(gè)新策略。