【通訊作者介紹】王晨曦,型充線哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授,博士生導(dǎo)師,IEEESeniormember?!镜谝蛔髡呓榻B】康秋實(shí),換電哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院博士研究生,本碩博均就讀于哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院。然而,站上Cu-Cu和SiO2-SiO2低溫鍵合所需的理想表面狀態(tài)難以兼容(如無(wú)氧化的Cu表面和親水的SiO2表面),站上因此難以通過(guò)單一的活化方法直接實(shí)現(xiàn)低溫混合鍵合。

江蘇無(wú)錫首座超大型充換電一體站上線

圖2Cu/SiO2混合表面活化前后三維形貌如圖3所示,江蘇通過(guò)對(duì)活化前后Cu和SiO2表面能進(jìn)行測(cè)試,江蘇可以發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)Ar/O2等離子體→NH4OH兩步協(xié)同活化能夠有效地將Cu和SiO2表面潤(rùn)濕角分別降低至19.6°和2°,證明表面形成了親水性化學(xué)結(jié)構(gòu)。如圖4所示,無(wú)錫未經(jīng)處理的Cu表面存在大量氧化并黏附有機(jī)污染物,活化后表面有機(jī)污染物得以去除,同時(shí)在表面引入更多的-OH和-NH2結(jié)構(gòu)。

江蘇無(wú)錫首座超大型充換電一體站上線

在低溫退火過(guò)程中,首座O或N原子進(jìn)一步擴(kuò)散到襯底中,形成無(wú)氧化的原子級(jí)Cu-Cu互連。

同時(shí)結(jié)合能譜(EDS)分析,型充線界面處沒(méi)有氧化物或氮化物殘留。(h)?單個(gè)Cu@GaNNW的TEM圖像和Cu(紅色)、換電Ga(綠色)、N(藍(lán)色)的EDS元素映射圖像。

該項(xiàng)目獲得了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、站上國(guó)家自然科學(xué)基金、福建省科技計(jì)劃等項(xiàng)目的資助。(e)820°C、江蘇50sccm、NH3、銅箔膠囊包裹。

無(wú)錫(d)真實(shí)海洋環(huán)境下PD測(cè)試的Iphoto-t曲線。分別在不同反應(yīng)條件下NWs的SEM圖像:首座(d)550°C、50sccmNH3、無(wú)銅箔膠囊。

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