量密圖2樣品電流模擬從FEBID期間收集的與時(shí)間相關(guān)的樣本電流曲線中解析分段角度變化。網(wǎng)紅圖7BIR溫度隨校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)高度變化的3DFEBID模擬BIR溫度隨校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)高度變化的3DFEBID模擬。隨著納米線生長的熱阻增加，濟(jì)南解流濟(jì)南束撞擊區(qū)域的溫度逐漸升高，導(dǎo)致沉積速率隨之降低，納米線朝向基板彎曲，實(shí)驗(yàn)、數(shù)學(xué)模型和模擬均證實(shí)了上述結(jié)果。

【成果簡介】近日，各區(qū)美國田納西大學(xué)JasonD.Fowlkes博士(通訊作者)等通過互補(bǔ)實(shí)驗(yàn)、各區(qū)模型和模擬確定光束誘導(dǎo)的加熱，探究了使用聚焦電子束誘導(dǎo)沉積(FEBID)對網(wǎng)格物體3D納米打印期間的沉積速率影響，并在ACSNano上發(fā)表了題為ImpactofElectron-BeamHeatingduring3DNanoprinting的研究論文。由于垂直生長速率降低，何破紅納米線似乎偏向并朝向基板彎曲。

量密圖4預(yù)測BIR溫度隨z坐標(biāo)中的總沉積高度的變化通過1D分析數(shù)學(xué)模型(實(shí)線)預(yù)測沉積物的最高溫度作為沿z坐標(biāo)的總沉積高度的函數(shù)。

圖3FEBID誘導(dǎo)電子束加熱的一維分析模型分段增長角度(ζ)，網(wǎng)紅隱含地包括在1D加熱模型中隨沉積物的路徑長度上變化的橫截面積函數(shù)A(s)。作者采取同步輻射表征和密度泛函理論（DFT）計(jì)算分析表明，濟(jì)南解流濟(jì)南雙金屬硒化物的相界處存在界面電荷的重新分布，濟(jì)南解流濟(jì)南表現(xiàn)為在界面的位置上電子從CoSe2轉(zhuǎn)移到ZnSe上。

各區(qū)（i）50次循環(huán)后CoZn-Se的HRTEM圖像。何破紅（c）從（a）和（b）中挑選的XRD圖譜。

【圖文導(dǎo)讀】圖一、量密材料表征???（a）CoZn-Se,ZnSe和CoSe2的XRD圖譜。（f）CoK-edgeEXAFS圖譜;（g）k2-weightedZnK-edgeEXAFS信號的小波變換（h）k2-weightedCoK-edgeEXAFS信號的小波變換圖二、網(wǎng)紅儲(chǔ)鈉性能（a）CoZn-Se、網(wǎng)紅ZnSe和CoSe2在0.01-3.0V電壓范圍內(nèi)，0.1mVs-1下的第二圈CV曲線。