同時(shí),個(gè)國(guó)鈍化方法使QD材料和LEDs表現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性。此外,際氫得益于與鈣鈦礦的強(qiáng)相互作用以及鈣鈦礦和CTL之間的阻隔,雙向鈍化分子使薄膜和器件具有更好的穩(wěn)定性。(d-e)在QD薄膜的底部、正志認(rèn)證服頂部和兩側(cè)有無TSPO1的QD薄膜的PL光譜和PLQY。

SGS正式推出首個(gè)國(guó)際氫能標(biāo)志認(rèn)證服務(wù)

基于TSPO1鈍化QD薄膜的QLEDs的T50工作壽命為15.8h,式推比控制器件長(zhǎng)20倍。除TSPO1外,出首使用其他膦氧分子也取得了優(yōu)異的結(jié)果,表明這種雙邊鈍化方法具有普遍性。

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研究表明,個(gè)國(guó)QD薄膜和電荷傳輸層之間的界面缺陷對(duì)器件是有害的,通過雙邊鈍化可以進(jìn)行抑制。

雖然報(bào)道了許多的優(yōu)化手段,際氫但是這些方法都集中在膠體QD的改進(jìn)上,而忽略了成膜過程給QD帶來的破壞?;诖耍菊J(rèn)證服文章提出了Lnnorm的距離概念,可以描述顆粒輪廓之間的關(guān)系,并以空間近距(spatialproximity)的概念代替幾何相似性(圖3)。

在TEM的幫助下,式推研究人員能夠捕捉到高度空間分辨率的納米顆粒形態(tài),所捕捉到的TEM圖片再進(jìn)行二維或者三維的數(shù)字化,并以此進(jìn)行合理的統(tǒng)計(jì)抽樣。因此,出首研究首先引入了形態(tài)概率分布的概念,以此討論群體形態(tài)(populationshape)獨(dú)特性(身份)并評(píng)估測(cè)量形態(tài)差異(圖1d)。

本內(nèi)容為作者獨(dú)立觀點(diǎn),個(gè)國(guó)不代表材料人網(wǎng)立場(chǎng)。不僅如此,際氫受到粒徑分析方法中的多分散指數(shù)(PDI)的啟發(fā),文章還引入了概率分布指數(shù)(PDF)概念(圖4b),其中PDF的寬度表示群體成員的離差程度。

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