g-i)TS為300±20℃、公司360±20℃和450±20℃下合成的Ga2In4S9晶體厚度統(tǒng)計分布,內(nèi)插為SiO2/Si基底上Ga2In4S9薄片的光學(xué)圖像?!境晒喗椤拷?,氫能簽約華中科技大學(xué)翟天佑教授(通訊作者)等首次采用鎵/銦液態(tài)合金作為前驅(qū)體,氫能簽約通過化學(xué)氣相沉積合成只有幾個原子層厚(最薄的樣品約2.4nm)的高質(zhì)量2D三元Ga2In4S9薄片,并在Adv.Mater.上發(fā)表了題為Liquid-Alloy-AssistedGrowthof2DTernaryGa2In4S9towardHigh-PerformanceUVPhotodetection的研究論文。目前尚未見關(guān)于合成具有可控化學(xué)計量的2D三元Ga2In4S9薄片的報道,領(lǐng)域應(yīng)歸因于難以選擇最佳的雙金屬前驅(qū)體。

中能建氫能源有限公司與臨沂投資發(fā)展集團(tuán)就氫能領(lǐng)域簽約

中能資發(fā)展集作者對上述2D三元Ga2In4S9薄片的紫外光傳感應(yīng)用進(jìn)行了系統(tǒng)性探索。建氫b)a圖中薄片相應(yīng)的原子分辨率HAADF-STEM圖像。

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作為一種雙金屬硫化物,有限臨沂投三元Ga2In4S9與相應(yīng)二元材料相比具有更加奇特的電子和光電性質(zhì)。

公司圖5Ga2In4S9薄片基光電晶體管a)10LGa2In4S9晶體管在黑暗條件下的輸出特性曲線。氫能簽約d)根據(jù)b圖中CL測試所得的Arrhenius擬合的650nm附近積分強(qiáng)度隨溫度的變化。

領(lǐng)域c)AFM圖像和SiO2/Si基底上典型三角形Ga2In4S9晶體的高度分布。中能資發(fā)展集d)360nm時不同照射強(qiáng)度下光電探測器的I-V曲線。

g)Vds=5V時,建氫在功率強(qiáng)度為1.481mW·cm-2的360nm光照下,器件光響應(yīng)隨時間的變化。有限臨沂投c)根據(jù)b圖中CL測試所得的450nm處帶隙能隨溫度的變化。

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