為了聚焦于表面氧化物的影響,南洞通過(guò)PAN的熱分解制備電極,PAN用作碳源,以避免額外的粘合劑。對(duì)于具有較厚表面氧化物(例如8或10nm厚)的Si@SiOx/C納米復(fù)合電極,展露可以改善其循環(huán)穩(wěn)定性,展露但由于厚氧化物的約束作用導(dǎo)致SiNPs的鋰化程度有限,因此容量降低。這可歸因于薄表面氧化物的物理限制作用有限,新顏導(dǎo)致Si納米顆粒的表面開(kāi)裂。

濟(jì)南開(kāi)元隧道南洞展露新顏

然而,濟(jì)南Si基陽(yáng)極材料的實(shí)際應(yīng)用受到了很多阻礙,尤其是在鋰化/脫鋰期間劇烈的體積變化。因此,開(kāi)元大量的工作集中在Si和碳之間的各種界面改性。

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【成果簡(jiǎn)介】近日,隧道廈門(mén)大學(xué)楊勇教授聯(lián)合佐治亞理工學(xué)院朱婷副教授(共同通訊作者)制備了一系列具有可控表面氧化物厚度的Si@SiOx/C納米復(fù)合陽(yáng)極。

結(jié)果表明,南洞表面氧化層的最佳厚度約為5nm,使得Si@SiOx/C納米復(fù)合陽(yáng)極同時(shí)具有高容量和循環(huán)穩(wěn)定性。此外,展露作者利用高斯擬合定量化磁滯轉(zhuǎn)變曲線的幅度,展露結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)確定了峰/谷c/a/c/a?-?a1/a2/a1/a2域邊界上的鐵彈性增加的特征(圖3-10),而這一特征是人為無(wú)法發(fā)掘的。

新顏(h)a1/a2/a1/a2頻段壓電響應(yīng)磁滯回線。隨后,濟(jì)南2011年夏天,奧巴馬政府宣布了材料基因組計(jì)劃(MaterialsGenomeInitiative,簡(jiǎn)稱MGI),該計(jì)劃在材料科學(xué)中掀起了一場(chǎng)革命。

一旦建立了該特征,開(kāi)元該工作流程就可以量化具有統(tǒng)計(jì)顯著性和納米級(jí)分辨率的效應(yīng)。首先,隧道根據(jù)SuperCon數(shù)據(jù)庫(kù)中信息,對(duì)超過(guò)12,000種已知超導(dǎo)體和候選材料的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(Tc)進(jìn)行建模

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