具體來說,項目新開V5S8的氧化是從低價到高價(V5S8→VSxOy→VO2→V3O7,V2O5)的分步過程。江蘇(c)V5S8-VO2-V5S8異質(zhì)結(jié)Mott憶阻器的電流-電壓曲線。成果簡介近日,省1省級清華大學材料學院劉鍇課題組利用激光按預(yù)設(shè)路徑局部輻照加熱氧化超薄硫化釩,省1省級便捷地在常壓大氣環(huán)境中實現(xiàn)了VO2的秒級圖案化合成,顯著區(qū)別于傳統(tǒng)VO2合成方法真空、長時間、全局加熱、圖案化工藝復(fù)雜的缺點。

江蘇省1-2月500個省級重大項目新開工91個

由此該工作在實驗上得到了V5S8厚度和激光功率依賴的氧化產(chǎn)物相圖,個工從而實現(xiàn)了VO2的可控合成。項目新開(d)V5S8氧化產(chǎn)物濃度隨時間變化的模擬圖。

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江蘇?圖3VO2的可控制備與電學性質(zhì)(a)V5S8-VO2-V5S8異質(zhì)結(jié)器件的光學照片。

省1省級(c)V5S8的X射線光電子能譜圖。個工該成果以題為Sub-5nmsinglecrystallineorganicp-nheterojunctions發(fā)表在Nat.Commun.上。

通過這種方法,項目新開成功獲得了橫向尺寸大于400μm的C6DPAMMC。通過實驗驗證,江蘇當微相疇的尺寸減小時,可以獲得更高的器件性能,并且優(yōu)化的微相疇的尺寸可能會因所使用的材料而異。

這項研究不僅為制造基于MMC的p–n異質(zhì)結(jié)提供了一種簡單而有效的解決方案,省1省級而且為在單層限制下實現(xiàn)下一代光電器件提供了一種有前途的策略。但是,個工這種薄的單晶PN異質(zhì)結(jié)的直接生長仍然是一個巨大的挑戰(zhàn),這極大地限制了它們在有機光電器件中的應(yīng)用。

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