本篇文章主要通過梳理目前單晶器件的制備方法，挑戰(zhàn)為廣大的研友概述鈣鈦礦單晶器件制備過程中的問題和技術路線的特點，挑戰(zhàn)也希望通過本文的總結，幫助大家對鈣鈦礦單晶器件制備中如何解決兩個問題即鈣鈦礦單晶薄膜在器件中的集成和鈣鈦礦單晶薄膜的厚度控制有概括性的了解。鈣鈦礦單晶器件依托單晶薄膜為主要的光敏層，電網(wǎng)的機不論應用在光伏、電網(wǎng)的機光電探測器還是發(fā)光二極管等領域，都需要考慮鈣鈦礦單晶薄膜和其它器件組成部分的集成問題，同時厚度太大的單晶薄膜不利于載流子的傳輸，也需要考慮單晶薄膜的厚度控制問題。圖6二維鈣鈦礦單晶藍光LED結構及單晶薄膜示意圖小結：挑戰(zhàn)除了上述的單晶薄膜制備技術，挑戰(zhàn)還有超聲空化單晶薄膜制備技術（cavitationtriggeredasymmetricalcrystallization）、氣相外延技術（vaporphaseepitaxialgrowth）等技術也被應用在鈣鈦礦單晶薄膜的制備，在此就不一一贅述，不同方法的研究和創(chuàng)新都一致推動著鈣鈦礦單晶器件制備技術的進步。

因此，電網(wǎng)的機鈣鈦礦單晶一直以來是該研究領域的熱點，大量核心的研究集中在單晶合成技術的研究。自頂向下的制備方法是一種可靠的減薄鈣鈦礦單晶及制備單晶器件的方法，挑戰(zhàn)物理切割及化學刻蝕都能夠有效地調(diào)控其厚度，挑戰(zhàn)方法過程簡單，不用過多地考慮單晶生長的條件和因素，但是同時在厚度減薄的精度和得到的最小厚度方面也具有一定的限制。

圖2機械切割鈣鈦礦單晶片圖3機械切割及化學刻蝕鈣鈦礦單晶片鈣鈦礦單晶作為襯底制備光電器件上述兩種鈣鈦礦單晶薄膜的制備方法主要是通過在載流子傳輸層薄膜上放置或生長單晶薄膜從而達到集成器件的目的，電網(wǎng)的機除此之外，電網(wǎng)的機很多研究還使用了鈣鈦礦塊狀單晶作為襯底直接沉積其他層的薄膜和電極來制備鈣鈦礦單晶光電器件。

如圖2所示，挑戰(zhàn)2016年，挑戰(zhàn)劉生忠教授團隊使用物理線切的手段直接進行FAPbI3單晶的切割，得到了薄的鈣鈦礦單晶片，并應用在了光電導型光電探測器的制備上，通過這種物理線切的方式得到的最好的鈣鈦礦晶圓厚度在100微米左右[4]。每次喂水時，電網(wǎng)的機可以給它們添加一些少量的鹽，以幫助它們更好地消化食物，同時也可以促進它們的新陳代謝。

洗澡的時候也可以給它們添加一些少量的鹽，挑戰(zhàn)以幫助它們更好地消化食物，同時也可以促進它們的新陳代謝。20天小狗多久喂水20天小狗需要喂水的頻率要取決于它的生長狀況，電網(wǎng)的機年齡，體重，健康狀況等。

此外，挑戰(zhàn)20天的小狗還需要定期洗澡，這樣可以幫助它們更好地保持身體的清潔，同時也可以幫助它們保持健康。其次，電網(wǎng)的機20天的小狗每天也需要喝大量的水，這樣可以幫助它們更好地消化食物，保持身體濕潤，同時也有助于它們保持健康