類資Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化學(xué)表征UV-visUV-visspectroscopy全稱為紫外-可見光吸收光譜。限于水平，億元必有疏漏之處，歡迎大家補(bǔ)充。它不僅反映吸收原子周圍環(huán)境中原子幾何配置，企業(yè)而且反映凝聚態(tài)物質(zhì)費(fèi)米能級(jí)附近低能位的電子態(tài)的結(jié)構(gòu)，企業(yè)因此成為研究材料的化學(xué)環(huán)境及其缺陷的有用工具。

創(chuàng)新此外通過EAXFS證明了富含缺陷的四氧化三鈷中的Co具有更低的配位數(shù)。利用原位表征的實(shí)時(shí)分析的優(yōu)勢(shì)，提升來探究材料在反應(yīng)過程中發(fā)生的變化。

目前，山東省財(cái)陳忠偉課題組在對(duì)鋰硫電池的研究中取得了突破性的進(jìn)展，山東省財(cái)研究人員使用原位XRD技術(shù)對(duì)小分子蒽醌化合物作為鋰硫電池正極的充放電過程進(jìn)行表征并解釋了其反應(yīng)機(jī)理（NATURECOMMUN.,2018,9,705），如圖二所示。

目前材料研究及表征手段可謂是五花八門，政下助推在此小編僅僅總結(jié)了部分常見的鋰電等儲(chǔ)能材料的機(jī)理研究方法。這項(xiàng)研究發(fā)表在了《自然-電子學(xué)》雜志上，達(dá)各密歇根理工大學(xué)(MichiganTechnologicalUniversity)、達(dá)各華盛頓大學(xué)圣路易斯分校(WashingtonUniversityinSt.Louis)和德克薩斯大學(xué)達(dá)拉斯分校(UniversityofTexasatDallas)合作完成了這項(xiàng)研究。

類資【文獻(xiàn)地址】Jing-KaiQin,Pai-YingLiao,PeideYe.etal.RamanResponseandTransportPropertiesofone-dimensionalvanderWaalsTelluriumNanowiresEncapsulatedinNanotubes.NatureElectronics.DOI:10.1038/s41928-020-0365-4.PubDate:2020-02-10。普渡大學(xué)(PurdueUniversity)的PeterYe研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)一種具有很高載流子遷移率(~1000cm2/Vs)稀土元素納米材料碲(Te)，億元將這種材料封裝在氮化硼制成的納米管中，億元可以制造直徑僅為2nm的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。

圖1.一維Te原子線的晶格表征及晶體管性能a,封裝在0.8nm碳納米管中單原子Te原子線的HAADF-STEM表征;b-e,單鏈、企業(yè)雙鏈、企業(yè)三鏈和19鏈Te原子線的HRTEM表征;f,Te原子線晶體管示意圖;g-h,器件的開關(guān)比、開態(tài)電流和載流子遷移率與原子線內(nèi)徑的對(duì)應(yīng)關(guān)系氮化硼封裝為尺寸更小的納米線晶體管器件提供了完美的解決方案，而且這種工藝同樣適用于其他具有一維形態(tài)半導(dǎo)體納米材料的封裝，為后摩爾時(shí)代新型邏輯器件尤其是納米線環(huán)柵晶體管的開發(fā)提供了新的思路。通過使用碳納米管作為封裝模板，創(chuàng)新通過控制碳納米管的內(nèi)徑，創(chuàng)新可以成功得到了具有不同鏈數(shù)的一維Te原子線，碳納米管封裝對(duì)一維Te原子線晶體實(shí)現(xiàn)了很好的保護(hù)，使其在空氣環(huán)境中具有很好的穩(wěn)定性。