業(yè)重圖6.反應(yīng)過(guò)程中間產(chǎn)物追蹤。點(diǎn)縣東地方e.計(jì)算NO光氧化的CINEB反應(yīng)途徑通過(guò)OH-。名單圖2.催化劑模型和計(jì)算圖。

使用Ca插層g-C3N4作為模型光催化劑來(lái)生成e-ex，入選作者們發(fā)現(xiàn)，由于e-ex的產(chǎn)生和轉(zhuǎn)移，g-C3N4的光吸收和電荷分離性質(zhì)得到顯著促進(jìn)。（2）發(fā)展了薄層多孔結(jié)構(gòu)催化劑原位負(fù)載技術(shù)，年全提出了抑制光催化凈化NO過(guò)程中間毒副產(chǎn)物生成的新方法。

國(guó)休公布d.計(jì)算NO光氧化的CINEB反應(yīng)途徑通過(guò)O2-。

文章鏈接：閑農(nóng)Tailoringtherate-determiningstepinphotocatalysisvialocalizedexcesselectronsforefficientandsafeaircleaning.(AppliedCatalysisB:Environmental,2018,239,187-195)?【團(tuán)隊(duì)介紹】1、閑農(nóng)團(tuán)隊(duì)介紹：重慶市環(huán)境與能源催化創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)介，董帆，1982年8月生，湖北宜昌人。文獻(xiàn)鏈接：業(yè)重Polarization-SelectingIII-NitrideEllipticalNanorodLight-EmittingDiodesFabricatedwithNanospherical-LensLithography,(ACSNano,2018,DOI:10.1021/acsnano.8b04933)本文由材料人電子電工學(xué)術(shù)組Z.Chen供稿，業(yè)重材料牛整理編輯。

對(duì)于自下而上的方法，點(diǎn)縣東地方納米線通常用等離子體輔助分子束外延(PAMBE)系統(tǒng)生長(zhǎng)。然而，名單干法蝕刻通常會(huì)在蝕刻面上產(chǎn)生缺陷，并降低器件的性能。

自上而下的方法可以用來(lái)制造不對(duì)稱納米棒，入選最小的特征通常在100nm左右。圖9.制造程序示意圖(a-l)整個(gè)制造程序的示意圖【總結(jié)】總之，年全作者成功地展示了電流注入的橢圓形納米棒發(fā)光二極管，年全它可以向襯底的背面發(fā)射偏振光。